Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UMH11NTN Альтернативные части: UMD2NTR
UMH11NTNROHM Semiconductor
В наличии: 78090
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
4.472527 ₽
4.53 ₽
10
4.219368 ₽
42.17 ₽
100
3.980536 ₽
398.08 ₽
500
3.755220 ₽
1,877.61 ₽
1000
3.542665 ₽
3,542.72 ₽
Цена за единицу: 4.472527 ₽
Итоговая цена: 4.53 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 30 | 56 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2008 |
Код JESD-609 | e2 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin/Copper (Sn/Cu) | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | - |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 50mA | 30mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Основной номер части | *MH11 | *MD2 |
Число контактов | 6 | 6 |
Максимальный выходной ток | 100mA | 100mA |
Входной напряжение питания | 50V | 50V |
Направленность | NPN | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 150mW | 150mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Тип транзистора | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V | 56 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 250MHz |
База (R1) | 10k Ω | 22k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | 100mA | 30mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10k Ω | 22k Ω |
Максимальное напряжение на выходе | 0.3 V | 0.3 V |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Copper, Tin |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | RN4901,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | Для сравнения |
 | UMD2NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |
| UMD12NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |
| UMD3NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |