UMG4NTR Альтернативные части: RN2711(TE85L,F)

UMG4NTRROHM Semiconductor

  • UMG4NTRROHM Semiconductor
  • RN2711(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP 2-in-1 Ic -100mA -50V VCEO
Срок поставки от производителя
13 Weeks
12 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Количество контактов
5
-
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
Количество элементов
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
120
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Опубликовано
2004
2014
Код JESD-609
e2
-
Безоловая кодировка
yes
-
Состояние изделия
Active
Discontinued
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
5
-
Код ECCN
EAR99
-
Конечная обработка контакта
Tin/Copper (Sn/Cu)
-
Максимальная рабочая температура
150°C
-
Минимальная температура работы
-55°C
-
Дополнительная Характеристика
DIGITAL
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
50V
-
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
Форма вывода
GULL WING
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Моментальный ток
100mA
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
-
Основной номер части
*MG4
-
Число контактов
5
-
Максимальный выходной ток
100mA
-
Входной напряжение питания
50V
-
Направленность
NPN
PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Распад мощности
150mW
-
Применение транзистора
SWITCHING
-
Тип транзистора
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
300mV
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
400 @ 1mA 5V
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода
250MHz
-
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
200MHz
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
-5V
База (R1)
10k Ω
10k Ω
Прямоходящий ток коллектора
100mA
-100mA
Максимальное напряжение на выходе
0.3 V
-
REACH SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
Код соответствия REACH
-
unknown
Мощность - Макс
-
200mW
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
100nA ICBO