Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UMG2NTR Альтернативные части: UMG9NTR
UMG2NTRROHM Semiconductor
В наличии: 30835
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
4.919780 ₽
4.95 ₽
10
4.641305 ₽
46.43 ₽
100
4.378585 ₽
437.91 ₽
500
4.130742 ₽
2,065.38 ₽
1000
3.896923 ₽
3,896.98 ₽
Цена за единицу: 4.919780 ₽
Итоговая цена: 4.95 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 |
Срок поставки от производителя | 7 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | SOT-353 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Количество контактов | 5 | 5 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 68 | 30 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2004 |
Код JESD-609 | e3/e2 | e2 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 5 | 5 |
Завершение | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | TIN/TIN COPPER | TIN COPPER |
Максимальная рабочая температура | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 50V | 50V |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 150mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Моментальный ток | 30mA | 50mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 10 |
Число контактов | 5 | 5 |
Направленность | NPN | NPN |
Конфигурация элемента | Dual | Dual |
Распад мощности | 150mW | 150mW |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA |
Частота перехода | 250MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 50V |
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | 68 | - |
Максимальное напряжение на выходе | 0.3 V | 0.3 V |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Вид крепления | - | Surface Mount |
Основной номер части | - | *MG9 |
Максимальный выходной ток | - | 100mA |
Входной напряжение питания | - | 50V |
Тип транзистора | - | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | - | 30 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | - | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | - | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота - Переход | - | 250MHz |
База (R1) | - | 10k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | - | 50mA |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | - | 10k Ω |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | UMC4N-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 150mW +/-100mA | Для сравнения |
 | UMG9NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 | Для сравнения |
| UMG4NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5 | Для сравнения |
| UMC5N-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | Bipolar Transistors - Pre-Biased 150mW +/-100mA | Для сравнения |