UMD6NTR Альтернативные части: DCX114EU-7-F ,UMB3NTN

UMD6NTRROHM Semiconductor

  • UMD6NTRROHM Semiconductor
  • DCX114EU-7-FDiodes Incorporated
  • UMB3NTNROHM Semiconductor

В наличии: 3000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Срок поставки от производителя
13 Weeks
19 Weeks
10 Weeks
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
-
Корпус / Кейс
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Количество контактов
6
6
6
Диэлектрический пробой напряжение
50V
50V
50V
Количество элементов
2
2
2
Минимальная частота работы в герцах
100
100
100
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Опубликовано
2004
2012
2005
Код JESD-609
e2
e3
-
Безоловая кодировка
yes
yes
yes
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
6
6
6
Завершение
SMD/SMT
-
-
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Конечная обработка контакта
TIN COPPER
-
-
Максимальная рабочая температура
150°C
150°C
150°C
Минимальная температура работы
-55°C
-55°C
-55°C
Дополнительная Характеристика
BUILT-IN BIAS RESISTOR
BUILT IN RESISTOR RATIO IS 1
BUILT-IN BIAS RESISTOR
Код ТН ВЭД
8541.21.00.75
-
8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности
150mW
200mW
150mW
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
260
260
Моментальный ток
100mA
100mA
-100mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
10
40
10
Основной номер части
*MD6
DCX114
-
Число контактов
6
6
6
Максимальный выходной ток
100mA
-
-
Входной напряжение питания
50V
-
-
Направленность
NPN, PNP
NPN, PNP
PNP
Конфигурация элемента
Dual
Dual
Dual
Распад мощности
150mW
-
150mW
Применение транзистора
SWITCHING
-
SWITCHING
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
50V
50V
50V
Максимальный ток сбора
100mA
100mA
100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce
100 @ 1mA 5V
30 @ 5mA 5V
-
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic
300mV @ 250μA, 5mA
300mV @ 500μA, 10mA
-
Частота перехода
250MHz
250MHz
250MHz
Максимальное напряжение разрушения
50V
50V
50V
Частота - Переход
250MHz
250MHz
-
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
5V
-
База (R1)
4.7k Ω
10k Ω
-
Максимальное напряжение на выходе
0.3 V
-
0.3 V
REACH SVHC
No SVHC
-
No SVHC
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Покрытие контактов
-
Tin
-
Вес
-
6.010099mg
-
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
50V
-50V
Каналов количество
-
2
-
Ток - отсечка коллектора (макс)
-
500nA
-
Прямоходящий ток коллектора
-
100mA
-
Резистор - Эмиттер-База (R2)
-
10k Ω
-
Высота
-
1mm
-
Длина
-
2.2mm
-
Ширина
-
1.35mm
-
Минимальный коэффициент усиления постоянного тока (hFE)
-
-
100