UMD12NTR Альтернативные части: UMH2NTN ,UMH9NTN

UMD12NTRROHM Semiconductor

В наличии: 30000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
2.568681 ₽
2.61 ₽
10
2.423283 ₽
24.18 ₽
100
2.286113 ₽
228.57 ₽
500
2.156717 ₽
1,078.30 ₽
1000
2.034643 ₽
2,034.62 ₽

Цена за единицу: 2.568681 ₽

Итоговая цена: 2.61 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иUMD12NTR	иUMH2NTN	иUMH9NTN
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6	6
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	68	68	68
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT)
Опубликовано	2004	2004	2004
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 4.7
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	150mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	30mA	30mA	70mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	10
Основной номер части	MD12	*MH2	*MH9
Число контактов	6	6	6
Максимальный выходной ток	100mA	-	100mA
Входной напряжение питания	50V	-	50V
Направленность	NPN, PNP	NPN	NPN
Напряжение	50V	-	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Текущий	1A	-	-
Распад мощности	150mW	150mW	150mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	68 @ 5mA 5V	68 @ 5mA 5V	68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 250μA, 5mA
Частота перехода	250MHz	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
База (R1)	47k Ω	47k Ω	10k Ω
Резистор - Эмиттер-База (R2)	47k Ω	47k Ω	47k Ω
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Код JESD-609	-	e2	e2
Завершение	-	SMD/SMT	-
Конечная обработка контакта	-	TIN COPPER	Tin/Copper (Sn/Cu)
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	50V	50V
Прямоходящий ток коллектора	-	100mA	70mA
Максимальное напряжение на выходе	-	0.3 V	-

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
UMH2NTN	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6	Для сравнения
UMH9NTN	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6	Для сравнения
DDA144EU-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363	Для сравнения
UMB2NTN	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6	Для сравнения