UMB11NTN Альтернативные части: UMD12NTR ,UMB2NTN

UMB11NTNROHM Semiconductor

В наличии: 6590

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
5.333791 ₽
5.36 ₽
10
5.031882 ₽
50.27 ₽
100
4.747060 ₽
474.73 ₽
500
4.478352 ₽
2,239.15 ₽
1000
4.224863 ₽
4,224.86 ₽

Цена за единицу: 5.333791 ₽

Итоговая цена: 5.36 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иUMB11NTN	иUMD12NTR	иUMB2NTN
Производитель:	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor	ROHM Semiconductor
Описание:	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6
Срок поставки от производителя	13 Weeks	13 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Количество контактов	6	6	6
Диэлектрический пробой напряжение	50V	50V	50V
Количество элементов	2	2	2
Минимальная частота работы в герцах	20	68	68
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Опубликовано	2004	2004	2004
Код JESD-609	e2	-	e2
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Завершение	SMD/SMT	-	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	TIN COPPER	-	Tin/Copper (Sn/Cu)
Максимальная рабочая температура	150°C	150°C	150°C
Минимальная температура работы	-55°C	-55°C	-55°C
Дополнительная Характеристика	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Код ТН ВЭД	8541.21.00.75	8541.21.00.75	8541.21.00.75
Ток постоянного напряжения - номинальный	-50V	-	-50V
Максимальная потеря мощности	150mW	150mW	150mW
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Моментальный ток	-50mA	30mA	-30mA
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	10	10	10
Основной номер части	MB11	MD12	MB2
Число контактов	6	6	6
Максимальный выходной ток	100mA	100mA	-
Входной напряжение питания	50V	50V	-
Направленность	PNP	NPN, PNP	PNP
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Распад мощности	150mW	150mW	150mW
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Тип транзистора	2 PNP - Pre-Biased (Dual)	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	300mV	300mV	300mV
Максимальный ток сбора	100mA	100mA	100mA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce	20 @ 5mA 5V	68 @ 5mA 5V	68 @ 5mA 5V
Ток - отсечка коллектора (макс)	500nA	500nA	500nA
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA	300mV @ 500μA, 10mA
Частота перехода	250MHz	250MHz	250MHz
Максимальное напряжение разрушения	50V	50V	50V
Частота - Переход	250MHz	250MHz	250MHz
База (R1)	10k Ω	47k Ω	47k Ω
Прямоходящий ток коллектора	-100mA	-	-30mA
Резистор - Эмиттер-База (R2)	10k Ω	47k Ω	47k Ω
Максимальное напряжение на выходе	0.3 V	-	0.3 V
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Напряжение	-	50V	-
Текущий	-	1A	-

Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
UMD2NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	Для сравнения
BC847PN-7-F	Diodes Incorporated	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363	Для сравнения
UMD12NTR	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6	Для сравнения
UMB2NTN	ROHM Semiconductor	Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6	Для сравнения