Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
UMB11NTN Альтернативные части: BC847PN-7-F ,UMD12NTR
UMB11NTNROHM Semiconductor
В наличии: 6590
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.333791 ₽
5.36 ₽
10
5.031882 ₽
50.27 ₽
100
4.747060 ₽
474.73 ₽
500
4.478352 ₽
2,239.15 ₽
1000
4.224863 ₽
4,224.86 ₽
Цена за единицу: 5.333791 ₽
Итоговая цена: 5.36 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 | TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 |
Срок поставки от производителя | 13 Weeks | 15 Weeks | 13 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 | 6 |
Диэлектрический пробой напряжение | 50V | 45V | 50V |
Количество элементов | 2 | 2 | 2 |
Минимальная частота работы в герцах | 20 | 200 | 68 |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Опубликовано | 2004 | 2008 | 2004 |
Код JESD-609 | e2 | e3 | - |
Безоловая кодировка | yes | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 | 6 |
Завершение | SMD/SMT | SMD/SMT | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | TIN COPPER | - | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | 150°C |
Минимальная температура работы | -55°C | - | -55°C |
Дополнительная Характеристика | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 | HIGH RELIABILITY | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Код ТН ВЭД | 8541.21.00.75 | - | 8541.21.00.75 |
Ток постоянного напряжения - номинальный | -50V | - | - |
Максимальная потеря мощности | 150mW | 200mW | 150mW |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 | 260 |
Моментальный ток | -50mA | - | 30mA |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 10 | 40 | 10 |
Основной номер части | MB11 | BC847PN | MD12 |
Число контактов | 6 | 6 | 6 |
Максимальный выходной ток | 100mA | - | 100mA |
Входной напряжение питания | 50V | - | 50V |
Направленность | PNP | NPN, PNP | NPN, PNP |
Конфигурация элемента | Dual | Dual | Dual |
Распад мощности | 150mW | 200mW | 150mW |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Тип транзистора | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) | NPN, PNP | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 300mV | 45V | 300mV |
Максимальный ток сбора | 100mA | 100mA | 100mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 20 @ 5mA 5V | 200 @ 2mA 5V / 220 @ 2mA 5V | 68 @ 5mA 5V |
Ток - отсечка коллектора (макс) | 500nA | 15nA ICBO | 500nA |
Максимальная насыщенность Vce @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA | 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA | 300mV @ 500μA, 10mA |
Частота перехода | 250MHz | 300MHz | 250MHz |
Максимальное напряжение разрушения | 50V | 45V | 50V |
Частота - Переход | 250MHz | 300MHz 200MHz | 250MHz |
База (R1) | 10k Ω | - | 47k Ω |
Прямоходящий ток коллектора | -100mA | - | - |
Резистор - Эмиттер-База (R2) | 10k Ω | - | 47k Ω |
Максимальное напряжение на выходе | 0.3 V | - | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Вес | - | 6.010099mg | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Рабочая температура | - | -65°C~150°C TJ | - |
Частота | - | 300MHz | - |
Сокетная связка | - | ISOLATED | - |
Продуктивность полосы частот | - | 300MHz | - |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | - | 50V | - |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | - | 6V | - |
Высота | - | 1mm | - |
Длина | - | 2.2mm | - |
Ширина | - | 1.35mm | - |
Напряжение | - | - | 50V |
Текущий | - | - | 1A |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | UMD2NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |
 | BC847PN-7-F | Diodes Incorporated | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363 | Для сравнения |
| UMD12NTR | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 | Для сравнения |
| UMB2NTN | ROHM Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - Массивы, Предварительные Смещенные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS PREBIAS DUAL PNP UMT6 | Для сравнения |