TEMT1000 Альтернативные части: TEMT1020 ,PT12-21C/TR8

TEMT1000Vishay Semiconductor Opto Division

  • TEMT1000Vishay Semiconductor Opto Division
  • TEMT1020Vishay Semiconductor Opto Division
  • PT12-21C/TR8Everlight Electronics Co Ltd

В наличии: 8439

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    97.863956 ₽

    97.80 ₽

  • 10

    92.324478 ₽

    923.21 ₽

  • 100

    87.098544 ₽

    8,709.89 ₽

  • 500

    82.168503 ₽

    41,084.20 ₽

  • 1000

    77.517459 ₽

    77,517.45 ₽

Цена за единицу: 97.863956 ₽

Итоговая цена: 97.80 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
VISHAY SEMICONDUCTOR TEMT1000 PHOTO TRANSISTOR
VISHAY SEMICONDUCTOR TEMT1020 PHOTOTRANSISTOR, NPN, OPTICAL SENSOR
PHOTOTRANSISTOR WATER CLR RA SMD
Срок поставки от производителя
14 Weeks
14 Weeks
20 Weeks
Покрытие контактов
Tin
-
-
Монтаж
Surface Mount
PCB, Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount, Right Angle
Корпус / Кейс
2-SMD, Z-Bend
2-SMD, Gull Wing
2-SMD, No Lead
Количество контактов
2
2
2
Диэлектрический пробой напряжение
70V
70V
30V
Максимальный коллекторный ток (Ic)
50mA
50mA
-
Количество элементов
1
1
1
Рабочая температура
-40°C~85°C TA
-40°C~85°C TA
-25°C~85°C TA
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
3 (168 Hours)
3 (168 Hours)
3 (168 Hours)
Максимальная рабочая температура
85°C
100°C
-
Минимальная температура работы
-40°C
-40°C
-
Максимальная потеря мощности
100mW
100mW
75mW
Ориентация
Top View
Top View
Side View
Направленность
NPN
NPN
NPN
Каналов количество
1
1
-
Распад мощности
100mW
100mW
75mW
Угол обзора
30°
30°
-
Мощность - Макс
100mW
100mW
-
Стиль линзы
Domed
Domed
Domed
Время подъема
2μs
2μs
15μs
Время падения (тип)
2.3 μs
2.3 μs
15 μs
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
70V
70V
5V
Максимальный ток сбора
50mA
50mA
50mA
Потребляемая мощность
100mW
100mW
-
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
70V
70V
-
Максимальное напряжение разрушения
70V
70V
30V
Тёмный ток
200nA
1nA
100nA
Ток - Темный (Id) (Макс)
200nA
200nA
-
Высота
2.7mm
2.98mm
-
Длина
2.5mm
2.5mm
-
Ширина
2mm
2mm
-
REACH SVHC
Unknown
Unknown
-
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Lead Free
Текущий рабочего питания
-
7mA
-
Выводная мощность
-
100mW
-
Максимальная температура перехода (Тj)
-
100°C
-
Максимальная длина волны
-
950 nm
-
Диапазон температур окружающей среды (высокий)
-
85°C
-
Форма
-
-
RECTANGULAR
Опубликовано
-
-
2005
Безоловая кодировка
-
-
yes
Количество функций
-
-
1
Конфигурация
-
-
SINGLE
Тип оптоэлектронного устройства
-
-
PHOTO TRANSISTOR
Цвет линзы
-
-
Clear
Инфракрасный диапазон
-
-
YES
Световой ток - ном
-
-
1.14mA