TEMT1000Vishay Semiconductor Opto Division
В наличии: 8439
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
97.863956 ₽
97.80 ₽
10
92.324478 ₽
923.21 ₽
100
87.098544 ₽
8,709.89 ₽
500
82.168503 ₽
41,084.20 ₽
1000
77.517459 ₽
77,517.45 ₽
Цена за единицу: 97.863956 ₽
Итоговая цена: 97.80 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | VISHAY SEMICONDUCTOR TEMT1000 PHOTO TRANSISTOR | PHOTOTRANSISTOR WATER CLR RA SMD | Phototransistor IR Chip Silicon 950nm 2-Pin SMD T/R |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 20 Weeks | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount, Right Angle | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 2-SMD, Z-Bend | 2-SMD, No Lead | Axial |
Количество контактов | 2 | 2 | 2 |
Диэлектрический пробой напряжение | 70V | 30V | 70V |
Максимальный коллекторный ток (Ic) | 50mA | - | 50mA |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Рабочая температура | -40°C~85°C TA | -25°C~85°C TA | -40°C~85°C |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 3 (168 Hours) | 3 (168 Hours) | 3 (168 Hours) |
Максимальная рабочая температура | 85°C | - | 85°C |
Минимальная температура работы | -40°C | - | -40°C |
Максимальная потеря мощности | 100mW | 75mW | 100mW |
Ориентация | Top View | Side View | Top View |
Направленность | NPN | NPN | NPN |
Каналов количество | 1 | - | - |
Распад мощности | 100mW | 75mW | 100mW |
Угол обзора | 30° | - | 30° |
Мощность - Макс | 100mW | - | 100mW |
Стиль линзы | Domed | Domed | Domed |
Время подъема | 2μs | 15μs | 2μs |
Время падения (тип) | 2.3 μs | 15 μs | 2.3 μs |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 70V | 5V | 70V |
Максимальный ток сбора | 50mA | 50mA | 50mA |
Потребляемая мощность | 100mW | - | 100mW |
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.) | 70V | - | 70V |
Максимальное напряжение разрушения | 70V | 30V | - |
Тёмный ток | 200nA | 100nA | 200nA |
Ток - Темный (Id) (Макс) | 200nA | - | 200nA |
Высота | 2.7mm | - | - |
Длина | 2.5mm | - | - |
Ширина | 2mm | - | - |
REACH SVHC | Unknown | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Форма | - | RECTANGULAR | - |
Опубликовано | - | 2005 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество функций | - | 1 | - |
Конфигурация | - | SINGLE | - |
Тип оптоэлектронного устройства | - | PHOTO TRANSISTOR | - |
Цвет линзы | - | Clear | - |
Инфракрасный диапазон | - | YES | - |
Световой ток - ном | - | 1.14mA | - |