Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STS4DNFS30 Альтернативные части: IRF7303QTRPBF ,IRF7316GTRPBF
STS4DNFS30STMicroelectronics
В наличии: 1500
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
145.354078 ₽
145.39 ₽
10
137.126453 ₽
1,371.23 ₽
100
129.364637 ₽
12,936.45 ₽
500
122.042109 ₽
61,021.09 ₽
1000
115.134092 ₽
115,134.08 ₽
Цена за единицу: 145.354078 ₽
Итоговая цена: 145.39 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 4.5A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 4.5A Tc | - | 4.9A |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 5V 10V | - | - |
Количество элементов | 1 | 2 | - |
Максимальная мощность рассеяния | 2W Tc | - | - |
Время отключения | 15 ns | 22 ns | 34 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
Серия | STripFET™ | HEXFET® | HEXFET® |
Код JESD-609 | e4 | - | - |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 3 (168 Hours) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | - |
Код ECCN | EAR99 | - | - |
Конечная обработка контакта | NICKEL PALLADIUM GOLD | - | - |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | GULL WING | - | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - | - |
Основной номер части | STS4D | IRF7303QPBF | IRF7316GPBF |
Число контактов | 8 | - | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | - |
Конфигурация | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
Распад мощности | 2W | 2W | 2W |
Тип ТРВ | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | - | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 55m Ω @ 2A, 10V | 50m Ω @ 2.4A, 10V | 58mOhm @ 4.9A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 330pF @ 25V | 520pF @ 25V | 710pF @ 25V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 4.7nC @ 5V | 25nC @ 10V | 34nC @ 10V |
Время подъема | 17ns | 21ns | 20ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | - | - |
Время падения (тип) | 6 ns | 7.7 ns | 48 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.5A | 4.9A | 4.9A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | - | -30V |
Максимальный импульсный ток вывода | 13A | - | - |
Характеристика ТРП | Schottky Diode (Isolated) | Standard | Logic Level Gate |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Опубликовано | - | 2010 | 2009 |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -55°C | -55°C |
Максимальная потеря мощности | - | 2W | 2W |
Время задержки включения | - | 6.8 ns | 13 ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V | 30V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Высота | - | 1.4986mm | 1.4986mm |
Длина | - | 4.9784mm | 4.9784mm |
Ширина | - | 3.9878mm | 3.9878mm |
Корпусировка на излучение | - | No | No |
Поставщик упаковки устройства | - | - | 8-SO |
Конфигурация элемента | - | - | Dual |
Мощность - Макс | - | - | 2W |
Входной ёмкости | - | - | 710pF |
Сопротивление стока к истоку | - | - | 58mOhm |
Rds на макс. | - | - | 58 mΩ |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7406TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC | Для сравнения |
 | ZXMC3F31DN8TA | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A 8-Pin SO T/R | Для сравнения |
| IRF7303QTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7316GTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC | Для сравнения |