Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGWA60H65DFB Альтернативные части: STGW40H65DFB
STGWA60H65DFBSTMicroelectronics
В наличии: 1288
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
481.340659 ₽
481.32 ₽
10
454.094959 ₽
4,540.93 ₽
100
428.391470 ₽
42,839.15 ₽
500
404.142898 ₽
202,071.43 ₽
1000
381.266882 ₽
381,266.90 ₽
Цена за единицу: 481.340659 ₽
Итоговая цена: 481.32 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube | IGBT 650V 80A 283W TO-247 |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 20 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 650V |
Условия испытания | 400V, 60A, 10 Ω, 15V | 400V, 40A, 5 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 375W | 283W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | STGWA60 | STGW40 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 375W | 283W |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2V | 650V |
Максимальный ток сбора | 80A | 80A |
Время обратной рекомпенсации | 60 ns | 62 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 60A | 2V @ 15V, 40A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop |
Зарядная мощность | 306nC | 210nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 240A | 160A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 66ns/210ns | 40ns/142ns |
Переключаемый энергопотребление | 1.59mJ (on), 900μJ (off) | 498μJ (on), 363μJ (off) |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) |
Вес | - | 38.000013g |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V |
Высота | - | 20.15mm |
Длина | - | 15.75mm |
Ширина | - | 5.15mm |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGH40N65UFDTU-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
 | STGW40H65DFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | Для сравнения |
 | IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Для сравнения |
 | STGW60H65DFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 375W TO-247 | Для сравнения |