Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGW80V60DF Альтернативные части: IRGP6660D-EPBF ,FGH60N60SFDTU-F085
STGW80V60DFSTMicroelectronics
В наличии: 578
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
747.411978 ₽
747.39 ₽
10
705.105673 ₽
7,051.10 ₽
100
665.193970 ₽
66,519.37 ₽
500
627.541484 ₽
313,770.74 ₽
1000
592.020330 ₽
592,020.33 ₽
Цена за единицу: 747.411978 ₽
Итоговая цена: 747.39 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT 600V 120A 469W TO247 | IGBT 600V 60A TO247AD | IGBT 600V 60A 378W TO247 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | - | - |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | - | 5 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 Exposed Pad | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 38.000013g | 6.500007g | 6.39g |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V | 600V |
Условия испытания | 400V, 80A, 5 Ω, 15V | 400V, 48A, 10 Ω, 15V | 400V, 60A, 5 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Максимальная потеря мощности | 469W | 330W | 378W |
Основной номер части | STGW80 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 469W | 330W | 378W |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 1.95V | 2.9V |
Максимальный ток сбора | 120A | 95A | 120A |
Время обратной рекомпенсации | 60 ns | 70 ns | 55 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 80A | 1.95V @ 15V, 48A | 2.9V @ 15V, 60A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | - | Field Stop |
Зарядная мощность | 448nC | 95nC | 188nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 240A | 144A | 180A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 60ns/220ns | 60ns/155ns | 26ns/134ns |
Переключаемый энергопотребление | 1.8mJ (on), 1mJ (off) | 600μJ (on), 1.3mJ (off) | 1.97mJ (on), 570μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | - | - |
Высота | 20.15mm | - | - |
Длина | 15.75mm | - | - |
Ширина | 5.15mm | - | - |
REACH SVHC | No SVHC | - | - |
Корпусировка на излучение | No | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | - |
Опубликовано | - | 2014 | 2008 |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Серия | - | - | Automotive, AEC-Q101 |
Код JESD-609 | - | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Конечная обработка контакта | - | - | Tin (Sn) |
Код соответствия REACH | - | - | not_compliant |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGY75N60SMD | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 Variant | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins | Для сравнения |
 | IRGP6660D-EPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 60A TO247AD | Для сравнения |
 | FGH60N60SFDTU-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 60A 378W TO247 | Для сравнения |