STGW80V60DF Альтернативные части: FGY75N60SMD ,IRGP6660D-EPBF

STGW80V60DFSTMicroelectronics

  • STGW80V60DFSTMicroelectronics
  • FGY75N60SMDON Semiconductor
  • IRGP6660D-EPBFInfineon Technologies

В наличии: 578

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    747.411978 ₽

    747.39 ₽

  • 10

    705.105673 ₽

    7,051.10 ₽

  • 100

    665.193970 ₽

    66,519.37 ₽

  • 500

    627.541484 ₽

    313,770.74 ₽

  • 1000

    592.020330 ₽

    592,020.33 ₽

Цена за единицу: 747.411978 ₽

Итоговая цена: 747.39 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 600V 120A 469W TO247
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins
IGBT 600V 60A TO247AD
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
-
Срок поставки от производителя
20 Weeks
6 Weeks
-
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-247-3 Exposed Pad
TO-247-3 Variant
TO-247-3
Количество контактов
3
3
3
Вес
38.000013g
7.629g
6.500007g
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Условия испытания
400V, 80A, 5 Ω, 15V
400V, 75A, 3 Ω, 15V
400V, 48A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
-55°C~175°C TJ
-40°C~175°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
469W
750W
330W
Основной номер части
STGW80
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Мощность - Макс
469W
750W
330W
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
600V
1.95V
Максимальный ток сбора
120A
150A
95A
Время обратной рекомпенсации
60 ns
55 ns
70 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 80A
2.5V @ 15V, 75A
1.95V @ 15V, 48A
Тип ИGBT
Trench Field Stop
Field Stop
-
Зарядная мощность
448nC
248nC
95nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
240A
225A
144A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
60ns/220ns
24ns/136ns
60ns/155ns
Переключаемый энергопотребление
1.8mJ (on), 1mJ (off)
2.3mJ (on), 770μJ (off)
600μJ (on), 1.3mJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
20V
20V
-
Высота
20.15mm
20.32mm
-
Длина
15.75mm
15.87mm
-
Ширина
5.15mm
4.82mm
-
REACH SVHC
No SVHC
No SVHC
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Количество элементов
-
1
-
Опубликовано
-
2010
2014
Код JESD-609
-
e3
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
3
-
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
-
Дополнительная Характеристика
-
LOW CONDUCTION LOSS
-
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.95
-
Применение транзистора
-
POWER CONTROL
-
Время включения
-
76 ns
-
Время выключения (toff)
-
161 ns
-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
6.5V
-
Время падения максимальное (tf)
-
29ns
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
-
-
NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
-
-
NOT SPECIFIED