STGW80V60DFSTMicroelectronics
В наличии: 578
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
747.411978 ₽
747.39 ₽
10
705.105673 ₽
7,051.10 ₽
100
665.193970 ₽
66,519.37 ₽
500
627.541484 ₽
313,770.74 ₽
1000
592.020330 ₽
592,020.33 ₽
Цена за единицу: 747.411978 ₽
Итоговая цена: 747.39 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT 600V 120A 469W TO247 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins | IGBT 600V 60A TO247AD |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago) | - |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 6 Weeks | - |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 Exposed Pad | TO-247-3 Variant | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 38.000013g | 7.629g | 6.500007g |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V | 600V |
Условия испытания | 400V, 80A, 5 Ω, 15V | 400V, 75A, 3 Ω, 15V | 400V, 48A, 10 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Состояние изделия | Active | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 469W | 750W | 330W |
Основной номер части | STGW80 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 469W | 750W | 330W |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V | 1.95V |
Максимальный ток сбора | 120A | 150A | 95A |
Время обратной рекомпенсации | 60 ns | 55 ns | 70 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 80A | 2.5V @ 15V, 75A | 1.95V @ 15V, 48A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | Field Stop | - |
Зарядная мощность | 448nC | 248nC | 95nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 240A | 225A | 144A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 60ns/220ns | 24ns/136ns | 60ns/155ns |
Переключаемый энергопотребление | 1.8mJ (on), 1mJ (off) | 2.3mJ (on), 770μJ (off) | 600μJ (on), 1.3mJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V | - |
Высота | 20.15mm | 20.32mm | - |
Длина | 15.75mm | 15.87mm | - |
Ширина | 5.15mm | 4.82mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | - |
Количество элементов | - | 1 | - |
Опубликовано | - | 2010 | 2014 |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 3 | - |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Дополнительная Характеристика | - | LOW CONDUCTION LOSS | - |
Код ТН ВЭД | - | 8541.29.00.95 | - |
Применение транзистора | - | POWER CONTROL | - |
Время включения | - | 76 ns | - |
Время выключения (toff) | - | 161 ns | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 6.5V | - |
Время падения максимальное (tf) | - | 29ns | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | NOT SPECIFIED |