STGW80V60DF Альтернативные части: FGH60N60SFDTU-F085 ,FGY75N60SMD

STGW80V60DFSTMicroelectronics

В наличии: 578

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
747.411978 ₽
747.39 ₽
10
705.105673 ₽
7,051.10 ₽
100
665.193970 ₽
66,519.37 ₽
500
627.541484 ₽
313,770.74 ₽
1000
592.020330 ₽
592,020.33 ₽

Цена за единицу: 747.411978 ₽

Итоговая цена: 747.39 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGW80V60DF	иFGH60N60SFDTU-F085	иFGY75N60SMD
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 600V 120A 469W TO247	IGBT 600V 60A 378W TO247	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	-	ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
Срок поставки от производителя	20 Weeks	5 Weeks	6 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3 Exposed Pad	TO-247-3	TO-247-3 Variant
Количество контактов	3	3	3
Вес	38.000013g	6.39g	7.629g
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	400V, 80A, 5 Ω, 15V	400V, 60A, 5 Ω, 15V	400V, 75A, 3 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	-	EAR99
Максимальная потеря мощности	469W	378W	750W
Основной номер части	STGW80	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	469W	378W	750W
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2.9V	600V
Максимальный ток сбора	120A	120A	150A
Время обратной рекомпенсации	60 ns	55 ns	55 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 80A	2.9V @ 15V, 60A	2.5V @ 15V, 75A
Тип ИGBT	Trench Field Stop	Field Stop	Field Stop
Зарядная мощность	448nC	188nC	248nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	240A	180A	225A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	60ns/220ns	26ns/134ns	24ns/136ns
Переключаемый энергопотребление	1.8mJ (on), 1mJ (off)	1.97mJ (on), 570μJ (off)	2.3mJ (on), 770μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	-	20V
Высота	20.15mm	-	20.32mm
Длина	15.75mm	-	15.87mm
Ширина	5.15mm	-	4.82mm
REACH SVHC	No SVHC	-	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Серия	-	Automotive, AEC-Q101	-
Опубликовано	-	2008	2010
Код JESD-609	-	e3	e3
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Конечная обработка контакта	-	Tin (Sn)	Tin (Sn)
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED	-
Код соответствия REACH	-	not_compliant	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED	-
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Количество элементов	-	-	1
Количество выводов	-	-	3
Дополнительная Характеристика	-	-	LOW CONDUCTION LOSS
Код ТН ВЭД	-	-	8541.29.00.95
Применение транзистора	-	-	POWER CONTROL
Время включения	-	-	76 ns
Время выключения (toff)	-	-	161 ns
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	-	6.5V
Время падения максимальное (tf)	-	-	29ns

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGY75N60SMD	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3 Variant	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGY75N60SMDIGBT Single Transistor, 150 A, 1.9 V, 750 W, 600 V, Power 247, 3 Pins	Для сравнения
IRGP6660D-EPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 60A TO247AD	Для сравнения
FGH60N60SFDTU-F085	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 60A 378W TO247	Для сравнения