Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGW60H65FB Альтернативные части: IKW50N65H5FKSA1 ,NGTB30N65IHL2WG
STGW60H65FBSTMicroelectronics
В наличии: 453
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
503.711538 ₽
503.71 ₽
10
475.199547 ₽
4,752.06 ₽
100
448.301442 ₽
44,830.08 ₽
500
422.925893 ₽
211,462.91 ₽
1000
398.986745 ₽
398,986.81 ₽
Цена за единицу: 503.711538 ₽
Итоговая цена: 503.71 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT Transistors 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 14 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 650V | 650V |
Условия испытания | 400V, 60A, 5 Ω, 15V | 400V, 25A, 12 Ω, 15V | 400V, 30A, 10 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | - |
Максимальная потеря мощности | 375W | 305W | 300W |
Основной номер части | STGW60 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 375W | 305W | - |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 650V | 1.65V | 650V |
Максимальный ток сбора | 80A | 80A | 60A |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 60A | 2.1V @ 15V, 50A | 2.2V @ 15V, 30A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop |
Зарядная мощность | 306nC | 120nC | 135nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 240A | 150A | 120A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 51ns/160ns | 21ns/180ns | -/145ns |
Переключаемый энергопотребление | 1.09mJ (on), 626μJ (off) | 520μJ (on), 180μJ (off) | 200μJ (off) |
Высота | 20.15mm | - | - |
Длина | 15.75mm | - | - |
Ширина | 5.15mm | - | - |
Корпусировка на излучение | No | - | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Серия | - | TrenchStop® | - |
Опубликовано | - | 2008 | 2014 |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | - |
Время обратной рекомпенсации | - | 57 ns | 430 ns |
REACH SVHC | - | Unknown | - |
Мощность - Макс | - | - | 300W |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGW40H65FB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT | Для сравнения |
 | STGW40H65DFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | Для сравнения |
 | IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Для сравнения |
 | NGTB30N65IHL2WG | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 60A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |