STGW60H65DFB Альтернативные части: STGW40H65FB ,STGWA60H65DFB

STGW60H65DFBSTMicroelectronics

В наличии: 7268

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
656.192308 ₽
656.18 ₽
10
619.049341 ₽
6,190.52 ₽
100
584.008819 ₽
58,400.82 ₽
500
550.951717 ₽
275,475.82 ₽
1000
519.765769 ₽
519,765.80 ₽

Цена за единицу: 656.192308 ₽

Итоговая цена: 656.18 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGW60H65DFB	иSTGW40H65FB	иSTGWA60H65DFB
Производитель:	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Описание:	IGBT 650V 80A 375W TO-247	IGBT Transistors 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT	Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)	-
Срок поставки от производителя	20 Weeks	20 Weeks	20 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	38.000013g	-	-
Диэлектрический пробой напряжение	650V	650V	650V
Условия испытания	400V, 60A, 5 Ω, 15V	400V, 40A, 5 Ω, 15V	400V, 60A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	375W	283W	375W
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
Основной номер части	STGW60	STGW40	STGWA60
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	375W	-	375W
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	-	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	650V	650V	2V
Максимальный ток сбора	80A	80A	80A
Время обратной рекомпенсации	60 ns	-	60 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 60A	2.3V @ 15V, 40A	2V @ 15V, 60A
Тип ИGBT	Trench Field Stop	Trench Field Stop	Trench Field Stop
Зарядная мощность	306nC	210nC	306nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	240A	160A	240A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	51ns/160ns	40ns/142ns	66ns/210ns
Переключаемый энергопотребление	1.09mJ (on), 626μJ (off)	498mJ (on), 363mJ (off)	1.59mJ (on), 900μJ (off)
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	20V	-	-
Высота	20.15mm	20.15mm	-
Длина	15.75mm	15.75mm	-
Ширина	5.15mm	5.15mm	-
REACH SVHC	No SVHC	-	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Распад мощности	-	283W	-
Корпусировка на излучение	-	No	-

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGW40H65FB	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT Transistors 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT	Для сравнения
STGWA60H65DFB	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube	Для сравнения
STGW40H65DFB	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 650V 80A 283W TO-247	Для сравнения
IKW50N65H5FKSA1	Infineon Technologies	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT Transistors IGBT PRODUCTS	Для сравнения