Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGW60H65DFB Альтернативные части: STGW40H65DFB ,IKW50N65H5FKSA1
STGW60H65DFBSTMicroelectronics
В наличии: 7268
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
656.192308 ₽
656.18 ₽
10
619.049341 ₽
6,190.52 ₽
100
584.008819 ₽
58,400.82 ₽
500
550.951717 ₽
275,475.82 ₽
1000
519.765769 ₽
519,765.80 ₽
Цена за единицу: 656.192308 ₽
Итоговая цена: 656.18 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT 650V 80A 375W TO-247 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | - |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 20 Weeks | 14 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 38.000013g | 38.000013g | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 650V | 650V |
Условия испытания | 400V, 60A, 5 Ω, 15V | 400V, 40A, 5 Ω, 15V | 400V, 25A, 12 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 375W | 283W | 305W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | STGW60 | STGW40 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 375W | 283W | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 650V | 650V | 1.65V |
Максимальный ток сбора | 80A | 80A | 80A |
Время обратной рекомпенсации | 60 ns | 62 ns | 57 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 60A | 2V @ 15V, 40A | 2.1V @ 15V, 50A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | Trench Field Stop | - |
Зарядная мощность | 306nC | 210nC | 120nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 240A | 160A | 150A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 51ns/160ns | 40ns/142ns | 21ns/180ns |
Переключаемый энергопотребление | 1.09mJ (on), 626μJ (off) | 498μJ (on), 363μJ (off) | 520μJ (on), 180μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | 20V | - |
Высота | 20.15mm | 20.15mm | - |
Длина | 15.75mm | 15.75mm | - |
Ширина | 5.15mm | 5.15mm | - |
REACH SVHC | No SVHC | - | Unknown |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Серия | - | - | TrenchStop® |
Опубликовано | - | - | 2008 |
Код JESD-609 | - | - | e3 |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Конечная обработка контакта | - | - | Tin (Sn) |
Распад мощности | - | - | 305W |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGW40H65FB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT | Для сравнения |
 | STGWA60H65DFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
| STGW40H65DFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | Для сравнения |
 | IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Для сравнения |