Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGW40H65DFB Альтернативные части: IKW50N65H5FKSA1 ,STGW60H65DFB
STGW40H65DFBSTMicroelectronics
В наличии: 294
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
302.617857 ₽
302.61 ₽
10
285.488544 ₽
2,854.95 ₽
100
269.328819 ₽
26,932.83 ₽
500
254.083791 ₽
127,041.90 ₽
1000
239.701690 ₽
239,701.65 ₽
Цена за единицу: 302.617857 ₽
Итоговая цена: 302.61 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | IGBT 650V 80A 375W TO-247 |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | - | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 14 Weeks | 20 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Вес | 38.000013g | - | 38.000013g |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 650V | 650V |
Условия испытания | 400V, 40A, 5 Ω, 15V | 400V, 25A, 12 Ω, 15V | 400V, 60A, 5 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ | -55°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 283W | 305W | 375W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
Основной номер части | STGW40 | - | STGW60 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 283W | - | 375W |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 650V | 1.65V | 650V |
Максимальный ток сбора | 80A | 80A | 80A |
Время обратной рекомпенсации | 62 ns | 57 ns | 60 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 40A | 2.1V @ 15V, 50A | 2V @ 15V, 60A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | - | Trench Field Stop |
Зарядная мощность | 210nC | 120nC | 306nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 160A | 150A | 240A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 40ns/142ns | 21ns/180ns | 51ns/160ns |
Переключаемый энергопотребление | 498μJ (on), 363μJ (off) | 520μJ (on), 180μJ (off) | 1.09mJ (on), 626μJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | - | 20V |
Высота | 20.15mm | - | 20.15mm |
Длина | 15.75mm | - | 15.75mm |
Ширина | 5.15mm | - | 5.15mm |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | Lead Free |
Серия | - | TrenchStop® | - |
Опубликовано | - | 2008 | - |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Распад мощности | - | 305W | - |
REACH SVHC | - | Unknown | No SVHC |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FGH40N65UFDTU-F085 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube | Для сравнения |
 | STGW60H65FB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT | Для сравнения |
 | IKW50N65H5FKSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | Для сравнения |
| STGW60H65DFB | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 375W TO-247 | Для сравнения |