Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGW30V60DF Альтернативные части: STGW30NC60WD ,STGW35NB60SD
STGW30V60DFSTMicroelectronics
В наличии: 390
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
343.483297 ₽
343.54 ₽
10
324.040797 ₽
3,240.38 ₽
100
305.698887 ₽
30,569.92 ₽
500
288.395192 ₽
144,197.53 ₽
1000
272.070907 ₽
272,070.88 ₽
Цена за единицу: 343.483297 ₽
Итоговая цена: 343.54 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | IGBT 600V 60A 258W TO247 | STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins |
Срок поставки от производителя | 20 Weeks | 8 Weeks | 8 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 | TO-247-3 |
Количество контактов | 3 | 3 | 3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Условия испытания | 400V, 30A, 10 Ω, 15V | 390V, 20A, 10 Ω, 15V | 480V, 20A, 100 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube | Tube |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 258W | 200W | 200W |
Основной номер части | STGW30 | STGW30 | STGW35 |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Распад мощности | 258W | 200W | 200W |
Входной тип | Standard | Standard | Standard |
Применение транзистора | POWER CONTROL | POWER CONTROL | MOTOR CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 600V | 600V |
Максимальный ток сбора | 60A | 60A | 70A |
Время обратной рекомпенсации | 53 ns | 40 ns | 44 ns |
Время включения | 59 ns | 42.5 ns | 153 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A | 2.5V @ 15V, 20A | 1.7V @ 15V, 20A |
Время выключения (toff) | 225 ns | 189 ns | 3600 ns |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | - | - |
Зарядная мощность | 163nC | 102nC | 83nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 120A | 150A | 250A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 45ns/189ns | 29.5ns/118ns | 92ns/1.1μs |
Переключаемый энергопотребление | 383μJ (on), 233μJ (off) | 305μJ (on), 181μJ (off) | 840μJ (on), 7.4mJ (off) |
Высота | 20.15mm | 20.15mm | 20.15mm |
Длина | 15.75mm | 15.75mm | 15.75mm |
Ширина | 5.15mm | 5.15mm | 5.15mm |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) |
Время отключения | - | 118 ns | - |
Серия | - | PowerMESH™ | PowerMESH™ |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 600V | 600V |
Моментальный ток | - | 60A | 35A |
Число контактов | - | 3 | 3 |
Сокетная связка | - | ISOLATED | - |
Время задержки включения | - | 29.5 ns | - |
Время подъема | - | 12ns | 70ns |
Код JEDEC-95 | - | TO-247AC | TO-247AA |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 5.75V | 5V |
REACH SVHC | - | No SVHC | No SVHC |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 600V |
Непрерывный ток стока (ID) | - | - | 70A |
Максимальное напряжение разрушения | - | - | 600V |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGW35NB60SD | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | Для сравнения |
| STGW20NC60VD | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | Для сравнения |
 | HGTG20N60A4 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 600V 70A 290W TO247 | Для сравнения |
| STGW30NC60WD | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | Для сравнения |