STGW30V60DF Альтернативные части: HGTG20N60A4 ,STGW30NC60WD

STGW30V60DFSTMicroelectronics

В наличии: 390

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
343.483297 ₽
343.54 ₽
10
324.040797 ₽
3,240.38 ₽
100
305.698887 ₽
30,569.92 ₽
500
288.395192 ₽
144,197.53 ₽
1000
272.070907 ₽
272,070.88 ₽

Цена за единицу: 343.483297 ₽

Итоговая цена: 343.54 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGW30V60DF	иHGTG20N60A4	иSTGW30NC60WD
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor	STMicroelectronics
Описание:	IGBT 600V 60A 258W TO247	IGBT 600V 70A 290W TO247	STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
Срок поставки от производителя	20 Weeks	4 Weeks	8 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-247-3	TO-247-3	TO-247-3
Количество контактов	3	3	3
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Количество элементов	1	1	1
Условия испытания	400V, 30A, 10 Ω, 15V	390V, 20A, 3 Ω, 15V	390V, 20A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	258W	290W	200W
Основной номер части	STGW30	HGTG20N60	STGW30
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Распад мощности	258W	290W	200W
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Применение транзистора	POWER CONTROL	POWER CONTROL	POWER CONTROL
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	60A	70A	60A
Время обратной рекомпенсации	53 ns	-	40 ns
Время включения	59 ns	28 ns	42.5 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 30A	2.7V @ 15V, 20A	2.5V @ 15V, 20A
Время выключения (toff)	225 ns	160 ns	189 ns
Тип ИGBT	Trench Field Stop	-	-
Зарядная мощность	163nC	142nC	102nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	120A	280A	150A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	45ns/189ns	15ns/73ns	29.5ns/118ns
Переключаемый энергопотребление	383μJ (on), 233μJ (off)	105μJ (on), 150μJ (off)	305μJ (on), 181μJ (off)
Высота	20.15mm	20.82mm	20.15mm
Длина	15.75mm	15.87mm	15.75mm
Ширина	5.15mm	4.82mm	5.15mm
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Покрытие контактов	-	Tin	-
Вес	-	6.39g	-
Время отключения	-	73 ns	118 ns
Опубликовано	-	2011	-
Код JESD-609	-	e3	e3
Безоловая кодировка	-	yes	-
Дополнительная Характеристика	-	LOW CONDUCTION LOSS	-
Код ТН ВЭД	-	8541.29.00.95	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	600V	600V
Моментальный ток	-	70A	60A
Сокетная связка	-	COLLECTOR	ISOLATED
Время задержки включения	-	15 ns	29.5 ns
Время подъема	-	12ns	12ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	7V	5.75V
REACH SVHC	-	No SVHC	No SVHC
Без свинца	-	Lead Free	Lead Free
Серия	-	-	PowerMESH™
Конечная обработка контакта	-	-	Tin (Sn)
Число контактов	-	-	3
Код JEDEC-95	-	-	TO-247AC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
STGW35NB60SD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения
STGW20NC60VD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	STMICROELECTRONICS STGW20NC60VD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения
HGTG20N60A4	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	IGBT 600V 70A 290W TO247	Для сравнения
STGW30NC60WD	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-247-3	STMICROELECTRONICS STGW30NC60WD IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins	Для сравнения