Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGW30M65DF2 Альтернативные части: IRGP4262DPBF
STGW30M65DF2STMicroelectronics
В наличии: 123
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
384.739670 ₽
384.75 ₽
10
362.961964 ₽
3,629.67 ₽
100
342.416964 ₽
34,241.76 ₽
500
323.034821 ₽
161,517.45 ₽
1000
304.749890 ₽
304,749.86 ₽
Цена за единицу: 384.739670 ₽
Итоговая цена: 384.75 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE | IGBT 650V 60A 250W TO247AC |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | - |
Срок поставки от производителя | 30 Weeks | - |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-247-3 | TO-247-3 |
Диэлектрический пробой напряжение | 650V | 650V |
Условия испытания | 400V, 30A, 10 Ω, 15V | 400V, 24A, 10 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~175°C TJ | -40°C~175°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Состояние изделия | Active | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Максимальная потеря мощности | 258W | 250W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | STGW30 | - |
Входной тип | Standard | Standard |
Мощность - Макс | 258W | 250W |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 2V | 2.1V |
Максимальный ток сбора | 60A | 60A |
Время обратной рекомпенсации | 140 ns | 170 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 30A | 2.1V @ 15V, 24A |
Тип ИGBT | Trench Field Stop | - |
Зарядная мощность | 80nC | 70nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | 120A | 96A |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 31.6ns/115ns | 24ns/73ns |
Переключаемый энергопотребление | 300μJ (on), 960μJ (off) | 520μJ (on), 240μJ (off) |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Количество контактов | - | 3 |
Опубликовано | - | 2007 |
Время подъёма макс | - | 45ns |
Конфигурация элемента | - | Single |
Полярность/Тип канала | - | N-CHANNEL |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | - | 20V |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | - | 7.7V |
Время падения максимальное (tf) | - | 40ns |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRGP4740DPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V TO-247 | Для сравнения |
| IRGP4262DPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V 60A 250W TO247AC | Для сравнения |
 | IRGP4740D-EPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | IGBT 650V TO-247 | Для сравнения |
 | STGWA30M65DF2 | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA30M65DF2 IGBT Single Transistor, 60 A, 1.55 V, 258 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | Для сравнения |