STGP30H60DFB Альтернативные части: SGS10N60RUFDTU ,FGPF10N60UNDF

STGP30H60DFBSTMicroelectronics

  • STGP30H60DFBSTMicroelectronics
  • SGS10N60RUFDTUON Semiconductor
  • FGPF10N60UNDFON Semiconductor

В наличии: 9000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
IGBT 600V 16A 55W TO220F
IGBT Transistors 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT
Срок поставки от производителя
20 Weeks
11 Weeks
5 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-220-3
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3 Full Pack
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Количество элементов
1
1
1
Условия испытания
400V, 30A, 10 Ω, 15V
300V, 10A, 20 Ω, 15V
400V, 10A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
260W
55W
42W
Положение терминала
SINGLE
-
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
-
Основной номер части
STGP30
SG*10N60
-
Код JESD-30
R-PSFM-T3
-
-
Конфигурация
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
-
-
Сокетная связка
COLLECTOR
ISOLATED
ISOLATED
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Мощность - Макс
260W
-
42W
Применение транзистора
POWER CONTROL
MOTOR CONTROL
MOTOR CONTROL
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
2V
600V
600V
Максимальный ток сбора
60A
16A
20A
Время обратной рекомпенсации
53 ns
60ns
37.7 ns
Код JEDEC-95
TO-220AB
-
TO-220AB
Время включения
51.1 ns
49 ns
15.4 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
2.8V @ 15V, 10A
2.45V @ 15V, 10A
Время выключения (toff)
223 ns
284 ns
89.3 ns
Тип ИGBT
Trench Field Stop
-
NPT
Зарядная мощность
149nC
30nC
37nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
120A
30A
30A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
37ns/146ns
15ns/36ns
8ns/52.2ns
Переключаемый энергопотребление
383μJ (on), 293μJ (off)
141μJ (on), 215μJ (off)
150μJ (on), 50μJ (off)
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Количество контактов
-
3
3
Вес
-
2.27g
2.27g
Опубликовано
-
2013
2013
Код JESD-609
-
e3
e3
Безоловая кодировка
-
yes
yes
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Tin (Sn)
Дополнительная Характеристика
-
LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
-
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.95
8541.29.00.95
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
600V
-
Моментальный ток
-
10A
-
Конфигурация элемента
-
Single
Single
Распад мощности
-
55W
-
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
20V
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
8V
8.5V
Время падения максимальное (tf)
-
220ns
24.8ns
Корпусировка на излучение
-
No
No
Без свинца
-
Lead Free
-
Высота
-
-
16.07mm
Длина
-
-
10.36mm
Ширина
-
-
4.9mm