STGP30H60DFB Альтернативные части: FGPF10N60UNDF ,STGPL6NC60D

STGP30H60DFBSTMicroelectronics

  • STGP30H60DFBSTMicroelectronics
  • FGPF10N60UNDFON Semiconductor
  • STGPL6NC60DSTMicroelectronics

В наличии: 9000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
IGBT Transistors 600V, 10A Short Circuit Rated IGBT
IGBT 600V 14A 56W TO220
Срок поставки от производителя
20 Weeks
5 Weeks
8 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-220-3
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
SILICON
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Количество элементов
1
1
1
Условия испытания
400V, 30A, 10 Ω, 15V
400V, 10A, 10 Ω, 15V
390V, 3A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
3
3
3
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
260W
42W
56W
Положение терминала
SINGLE
-
-
Температура пайки (пиковая) (°C)
NOT SPECIFIED
-
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
NOT SPECIFIED
-
-
Основной номер части
STGP30
-
STGPL6
Код JESD-30
R-PSFM-T3
-
R-PSFM-T3
Конфигурация
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
-
-
Сокетная связка
COLLECTOR
ISOLATED
-
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Мощность - Макс
260W
42W
-
Применение транзистора
POWER CONTROL
MOTOR CONTROL
POWER CONTROL
Полярность/Тип канала
N-CHANNEL
N-CHANNEL
N-CHANNEL
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
2V
600V
600V
Максимальный ток сбора
60A
20A
42A
Время обратной рекомпенсации
53 ns
37.7 ns
50ns
Код JEDEC-95
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
Время включения
51.1 ns
15.4 ns
10.5 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
2.45V @ 15V, 10A
2.9V @ 15V, 3A
Время выключения (toff)
223 ns
89.3 ns
122 ns
Тип ИGBT
Trench Field Stop
NPT
-
Зарядная мощность
149nC
37nC
12nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
120A
30A
18A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
37ns/146ns
8ns/52.2ns
6.7ns/46ns
Переключаемый энергопотребление
383μJ (on), 293μJ (off)
150μJ (on), 50μJ (off)
46.5μJ (on), 23.5μJ (off)
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Количество контактов
-
3
-
Вес
-
2.27g
-
Опубликовано
-
2013
-
Код JESD-609
-
e3
e3
Безоловая кодировка
-
yes
-
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
Matte Tin (Sn)
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.95
-
Конфигурация элемента
-
Single
Single
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
20V
20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
8.5V
5.75V
Время падения максимальное (tf)
-
24.8ns
-
Высота
-
16.07mm
-
Длина
-
10.36mm
-
Ширина
-
4.9mm
-
Корпусировка на излучение
-
No
No
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
14A
Серия
-
-
PowerMESH™
Число контактов
-
-
3
Максимальное напряжение разрушения
-
-
600V