STGP20V60F Альтернативные части: FGPF15N60UNDF ,FGP20N6S2

STGP20V60FSTMicroelectronics

  • STGP20V60FSTMicroelectronics
  • FGPF15N60UNDFON Semiconductor
  • FGP20N6S2ON Semiconductor

В наличии: 300

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    171.569808 ₽

    171.57 ₽

  • 10

    161.858352 ₽

    1,618.54 ₽

  • 100

    152.696552 ₽

    15,269.64 ₽

  • 500

    144.053338 ₽

    72,026.65 ₽

  • 1000

    135.899354 ₽

    135,899.31 ₽

Цена за единицу: 171.569808 ₽

Итоговая цена: 171.57 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
IGBT Transistors 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT
IGBT 600V 28A 125W TO220AB
Состояние жизненного цикла
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
ACTIVE (Last Updated: 2 hours ago)
-
Срок поставки от производителя
20 Weeks
13 Weeks
-
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-220-3
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Условия испытания
400V, 20A, 15V
400V, 15A, 10 Ω, 15V
390V, 7A, 25Ohm, 15V
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Состояние изделия
Active
Active
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
-
Максимальная потеря мощности
167W
42W
125W
Основной номер части
STGP20
-
-
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
167W
-
125W
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
600V
2.7V
Максимальный ток сбора
40A
30A
28A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 20A
2.7V @ 15V, 15A
2.7V @ 15V, 7A
Тип ИGBT
Trench Field Stop
NPT
-
Зарядная мощность
116nC
43nC
30nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
80A
45A
40A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
38ns/149ns
9.3ns/54.8ns
7.7ns/87ns
Переключаемый энергопотребление
200μJ (on), 130μJ (off)
370μJ (on), 67μJ (off)
25μJ (on), 58μJ (off)
Высота
15.75mm
16.07mm
-
Длина
10.4mm
10.36mm
-
Ширина
4.6mm
2.74mm
-
Корпусировка на излучение
No
No
-
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Вес
-
2.27g
-
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Количество элементов
-
1
-
Опубликовано
-
2013
-
Код JESD-609
-
e3
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
3
-
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
-
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.95
-
Сокетная связка
-
ISOLATED
-
Мощность - Макс
-
42W
125W
Применение транзистора
-
MOTOR CONTROL
-
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL
-
Время обратной рекомпенсации
-
82.4 ns
-
Код JEDEC-95
-
TO-220AB
-
Время включения
-
18.8 ns
-
Время выключения (toff)
-
69.8 ns
-
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
20V
-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
8.5V
-
Время падения максимальное (tf)
-
12.8ns
-
Поставщик упаковки устройства
-
-
TO-220-3
Максимальный коллекторный ток (Ic)
-
-
28A
Максимальная рабочая температура
-
-
150°C
Минимальная температура работы
-
-
-55°C
Ток постоянного напряжения - номинальный
-
-
600V
Моментальный ток
-
-
28A
Время подъема
-
-
4.5ns
Напряжение - пробой коллектора-эмиттера (макс.)
-
-
600V
Без свинца
-
-
Lead Free