STGP15H60DF Альтернативные части: STGF15H60DF ,FGPF15N60UNDF

STGP15H60DFSTMicroelectronics

В наличии: 977

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
194.768462 ₽
194.78 ₽
10
183.743805 ₽
1,837.50 ₽
100
173.343255 ₽
17,334.34 ₽
500
163.531346 ₽
81,765.66 ₽
1000
154.274849 ₽
154,274.86 ₽

Цена за единицу: 194.768462 ₽

Итоговая цена: 194.78 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGP15H60DF	иSTGF15H60DF	иFGPF15N60UNDF
Производитель:	STMicroelectronics	STMicroelectronics	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 600V 30A 115W TO220	IGBT 600V 30A 30W TO220FP	IGBT Transistors 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 hours ago)
Срок поставки от производителя	20 Weeks	20 Weeks	13 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Количество контактов	3	3	3
Вес	6.000006g	2.299997g	2.27g
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	400V, 15A, 10 Ω, 15V	400V, 15A, 10 Ω, 15V	400V, 15A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Максимальная потеря мощности	115W	30W	42W
Основной номер части	STGP15	STGF15	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	115W	30W	42W
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	600V
Максимальный ток сбора	30A	30A	30A
Время обратной рекомпенсации	103 ns	103 ns	82.4 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 15A	2V @ 15V, 15A	2.7V @ 15V, 15A
Тип ИGBT	Trench Field Stop	Trench Field Stop	NPT
Зарядная мощность	81nC	81nC	43nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	60A	60A	45A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	24.5ns/118ns	24.5ns/118ns	9.3ns/54.8ns
Переключаемый энергопотребление	136μJ (on), 207μJ (off)	136μJ (on), 207μJ (off)	370μJ (on), 67μJ (off)
Высота	15.75mm	16.4mm	16.07mm
Длина	10.4mm	10.4mm	10.36mm
Ширина	4.6mm	4.6mm	2.74mm
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED	-
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Количество элементов	-	-	1
Опубликовано	-	-	2013
Код JESD-609	-	-	e3
Безоловая кодировка	-	-	yes
Количество выводов	-	-	3
Конечная обработка контакта	-	-	Tin (Sn)
Код ТН ВЭД	-	-	8541.29.00.95
Сокетная связка	-	-	ISOLATED
Применение транзистора	-	-	MOTOR CONTROL
Полярность/Тип канала	-	-	N-CHANNEL
Код JEDEC-95	-	-	TO-220AB
Время включения	-	-	18.8 ns
Время выключения (toff)	-	-	69.8 ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	-	8.5V
Время падения максимальное (tf)	-	-	12.8ns

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGP15N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT	Для сравнения
STGF15H60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 30A 30W TO220FP	Для сравнения
FGPF15N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT Transistors 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT	Для сравнения
NGTB15N60R2FG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins	Для сравнения