STGP15H60DF Альтернативные части: NGTB15N60R2FG ,FGP15N60UNDF

STGP15H60DFSTMicroelectronics

В наличии: 977

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
194.768462 ₽
194.78 ₽
10
183.743805 ₽
1,837.50 ₽
100
173.343255 ₽
17,334.34 ₽
500
163.531346 ₽
81,765.66 ₽
1000
154.274849 ₽
154,274.86 ₽

Цена за единицу: 194.768462 ₽

Итоговая цена: 194.78 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGP15H60DF	иNGTB15N60R2FG	иFGP15N60UNDF
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 600V 30A 115W TO220	ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins	IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)	ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Срок поставки от производителя	20 Weeks	4 Weeks	4 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	6.000006g	-	1.8g
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	400V, 15A, 10 Ω, 15V	300V, 15A, 30 Ω, 15V	400V, 15A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	175°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	-	EAR99
Максимальная потеря мощности	115W	54W	178W
Основной номер части	STGP15	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	115W	54W	-
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	2.1V	600V
Максимальный ток сбора	30A	24A	30A
Время обратной рекомпенсации	103 ns	95 ns	82.4ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 15A	2.1V @ 15V, 15A	2.7V @ 15V, 15A
Тип ИGBT	Trench Field Stop	-	NPT
Зарядная мощность	81nC	80nC	43nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	60A	60A	45A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	24.5ns/118ns	70ns/190ns	9.3ns/54.8ns
Переключаемый энергопотребление	136μJ (on), 207μJ (off)	550μJ (on), 220μJ (off)	370μJ (on), 67μJ (off)
Высота	15.75mm	15.87mm	16.51mm
Длина	10.4mm	10.16mm	10.67mm
Ширина	4.6mm	4.7mm	4.83mm
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Опубликовано	-	2007	2013
Безоловая кодировка	-	yes	yes
REACH SVHC	-	No SVHC	-
Материал элемента транзистора	-	-	SILICON
Количество элементов	-	-	1
Код JESD-609	-	-	e3
Количество выводов	-	-	3
Конечная обработка контакта	-	-	Tin (Sn)
Код ТН ВЭД	-	-	8541.29.00.95
Распад мощности	-	-	178W
Применение транзистора	-	-	MOTOR CONTROL
Полярность/Тип канала	-	-	N-CHANNEL
Код JEDEC-95	-	-	TO-220AB
Время включения	-	-	18.8 ns
Время выключения (toff)	-	-	69.8 ns
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	-	20V
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	-	8.5V
Время падения максимальное (tf)	-	-	12.8ns

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGP15N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT	Для сравнения
STGF15H60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 30A 30W TO220FP	Для сравнения
FGPF15N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT Transistors 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT	Для сравнения
NGTB15N60R2FG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins	Для сравнения