STGP15H60DF Альтернативные части: FGPF15N60UNDF ,NGTB15N60R2FG

STGP15H60DFSTMicroelectronics

В наличии: 977

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
194.768462 ₽
194.78 ₽
10
183.743805 ₽
1,837.50 ₽
100
173.343255 ₽
17,334.34 ₽
500
163.531346 ₽
81,765.66 ₽
1000
154.274849 ₽
154,274.86 ₽

Цена за единицу: 194.768462 ₽

Итоговая цена: 194.78 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSTGP15H60DF	иFGPF15N60UNDF	иNGTB15N60R2FG
Производитель:	STMicroelectronics	ON Semiconductor	ON Semiconductor
Описание:	IGBT 600V 30A 115W TO220	IGBT Transistors 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT	ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins
Состояние жизненного цикла	ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)	ACTIVE (Last Updated: 2 hours ago)	ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
Срок поставки от производителя	20 Weeks	13 Weeks	4 Weeks
Монтаж	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Вид крепления	Through Hole	Through Hole	Through Hole
Корпус / Кейс	TO-220-3	TO-220-3 Full Pack	TO-220-3 Full Pack
Количество контактов	3	3	3
Вес	6.000006g	2.27g	-
Диэлектрический пробой напряжение	600V	600V	600V
Условия испытания	400V, 15A, 10 Ω, 15V	400V, 15A, 10 Ω, 15V	300V, 15A, 30 Ω, 15V
Рабочая температура	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ	175°C TJ
Пакетирование	Tube	Tube	Tube
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Максимальная потеря мощности	115W	42W	54W
Основной номер части	STGP15	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Входной тип	Standard	Standard	Standard
Мощность - Макс	115W	42W	54W
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)	600V	600V	2.1V
Максимальный ток сбора	30A	30A	24A
Время обратной рекомпенсации	103 ns	82.4 ns	95 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 15A	2.7V @ 15V, 15A	2.1V @ 15V, 15A
Тип ИGBT	Trench Field Stop	NPT	-
Зарядная мощность	81nC	43nC	80nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)	60A	45A	60A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C	24.5ns/118ns	9.3ns/54.8ns	70ns/190ns
Переключаемый энергопотребление	136μJ (on), 207μJ (off)	370μJ (on), 67μJ (off)	550μJ (on), 220μJ (off)
Высота	15.75mm	16.07mm	15.87mm
Длина	10.4mm	10.36mm	10.16mm
Ширина	4.6mm	2.74mm	4.7mm
Корпусировка на излучение	No	No	-
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	-	Lead Free
Материал элемента транзистора	-	SILICON	-
Количество элементов	-	1	-
Опубликовано	-	2013	2007
Код JESD-609	-	e3	-
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Количество выводов	-	3	-
Конечная обработка контакта	-	Tin (Sn)	-
Код ТН ВЭД	-	8541.29.00.95	-
Сокетная связка	-	ISOLATED	-
Применение транзистора	-	MOTOR CONTROL	-
Полярность/Тип канала	-	N-CHANNEL	-
Код JEDEC-95	-	TO-220AB	-
Время включения	-	18.8 ns	-
Время выключения (toff)	-	69.8 ns	-
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)	-	20V	-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ	-	8.5V	-
Время падения максимальное (tf)	-	12.8ns	-
REACH SVHC	-	-	No SVHC

Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
FGP15N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3	IGBT Transistors 600V 15A NPT IGBT	Для сравнения
STGF15H60DF	STMicroelectronics	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT 600V 30A 30W TO220FP	Для сравнения
FGPF15N60UNDF	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	IGBT Transistors 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT	Для сравнения
NGTB15N60R2FG	ON Semiconductor	Транзисторы - IGBT - Одиночные	TO-220-3 Full Pack	ON SEMICONDUCTOR NGTB15N60R2FG IGBT Single Transistor, 24 A, 1.85 V, 54 W, 600 V, TO-220F, 3 Pins	Для сравнения