Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGP10NC60H Альтернативные части: IRG4BC20SDPBF
STGP10NC60HSTMicroelectronics
В наличии: 59
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
189.971209 ₽
189.97 ₽
10
179.218173 ₽
1,792.17 ₽
100
169.073709 ₽
16,907.42 ₽
500
159.503475 ₽
79,751.79 ₽
1000
150.474945 ₽
150,475.00 ₽
Цена за единицу: 189.971209 ₽
Итоговая цена: 189.97 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | IGBT 600V 20A 60W TO220 | IGBT 600V 19A 60W TO220AB |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-220-3 | TO-220-3 |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 600V | 600V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Условия испытания | 390V, 5A, 10 Ω, 15V | 480V, 10A, 50 Ω, 15V |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tube | Tube |
Серия | PowerMESH™ | - |
Код JESD-609 | e3 | - |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 600V | 600V |
Максимальная потеря мощности | 60W | 60W |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | - |
Код соответствия REACH | not_compliant | - |
Моментальный ток | 20A | 19A |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | STGP10 | - |
Число контактов | 3 | - |
Код JESD-30 | R-PSFM-T3 | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 60W | 60W |
Входной тип | Standard | Standard |
Применение транзистора | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 600V | 1.6V |
Максимальный ток сбора | 20A | 19A |
Время обратной рекомпенсации | 22 ns | 37 ns |
Код JEDEC-95 | TO-220AB | TO-220AB |
Время включения | 19 ns | 99 ns |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 5A | 1.6V @ 15V, 10A |
Время выключения (toff) | 247 ns | 1780 ns |
Зарядная мощность | 19.2nC | 27nC |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | 14.2ns/72ns | 62ns/690ns |
Переключаемый энергопотребление | 31.8μJ (on), 95μJ (off) | 320μJ (on), 2.58mJ (off) |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5.75V | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
Срок поставки от производителя | - | 18 Weeks |
Количество контактов | - | 3 |
Время отключения | - | 1.04 μs |
Опубликовано | - | 2010 |
Завершение | - | Through Hole |
Дополнительная Характеристика | - | LOW CONDUCTION LOSS |
Сокетная связка | - | COLLECTOR |
Время задержки включения | - | 62 ns |
Время подъема | - | 35ns |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | - | 38A |
Высота | - | 8.77mm |
Длина | - | 10.54mm |
Ширина | - | 4.69mm |
REACH SVHC | - | No SVHC |
Корпусировка на излучение | - | No |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGF10H60DF | STMicroelectronics | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 20A 30W TO220FP | Для сравнения |
 | IRG4BC20SDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 600V 19A 60W TO220AB | Для сравнения |
 | HGTP3N60A4D | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 600V 17A 70W TO220AB | Для сравнения |
| HGTP7N60B3D | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 600V 14A 60W TO220AB | Для сравнения |