Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGP100N30 Альтернативные части: FGPF50N33BTTU ,FGPF4533
STGP100N30STMicroelectronics
В наличии: 848
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
591.021538 ₽
591.07 ₽
10
557.567514 ₽
5,575.69 ₽
100
526.007060 ₽
52,600.69 ₽
500
496.233104 ₽
248,116.48 ₽
1000
468.144423 ₽
468,144.37 ₽
Цена за единицу: 591.021538 ₽
Итоговая цена: 591.07 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | IGBT 330V 28.4W TO220-3FP | |
Монтаж | Through Hole | - | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | - | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-220-3 | - | TO-220-3 Full Pack |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Диэлектрический пробой напряжение | 330V | - | 330V |
Количество элементов | 1 | - | - |
Условия испытания | 180V, 25A, 10 Ω, 15V | - | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - | - |
Пакетирование | Tube | - | Tube |
Серия | STripFET™ | - | - |
Состояние изделия | Obsolete | - | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | - | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | - | - |
Максимальная потеря мощности | 250W | - | 28.4W |
Основной номер части | STGP100 | - | - |
Число контактов | 3 | - | - |
Код JESD-30 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 | - |
Конфигурация элемента | Single | - | Single |
Входной тип | Standard | - | Standard |
Мощность - Макс | 250W | - | - |
Применение транзистора | GENERAL PURPOSE SWITCHING | POWER CONTROL | - |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 330V | - | 330V |
Максимальный ток сбора | 90A | - | 200mA |
Код JEDEC-95 | TO-220AB | TO-220AB | - |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 50A | - | 1.8V @ 15V, 50A |
Время выключения (toff) | 310 ns | 365 ns | - |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | -/134ns | - | - |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | - | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5.5V | - | - |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Срок поставки от производителя | - | [object Object] | - |
Поверхностный монтаж | - | NO | - |
Количество терминалов | - | 3 | - |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | MATTE TIN |
Дополнительная Характеристика | - | LOW CONDUCTION LOSS | - |
Положение терминала | - | SINGLE | - |
Форма вывода | - | THROUGH-HOLE | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | NOT SPECIFIED | - |
Код соответствия REACH | - | not_compliant | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | NOT SPECIFIED | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Operating Temperature (Max) | - | 150°C | - |
Number of Elements | - | 1 | - |
Конфигурация | - | SINGLE | - |
Время включения | - | 46 ns | - |
Максимальный ток коллектора (IC) | - | 50A | - |
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия | - | 330V | - |
Количество контактов | - | - | 3 |
Вес | - | - | 2.27g |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Максимальная рабочая температура | - | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | - | -55°C |
Тип ИGBT | - | - | Trench |
Зарядная мощность | - | - | 44nC |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | - | - | 200A |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRG6B330UDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 330V 70A 160W TO220 | Для сравнения |
 | FGPF50N33BTTU | ON SEMICONDUCTOR | Неклассифицированный | - | - | Для сравнения |
 | FGPF4533 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT 330V 28.4W TO220-3FP | Для сравнения |
| FGPF4633TU | ON SEMICONDUCTOR | Неклассифицированный | - | IGBT 330V 30.5W TO220F | Для сравнения |