Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
STGP100N30 Альтернативные части: FGPF4533 ,FGPF4633TU
STGP100N30STMicroelectronics
В наличии: 848
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
591.021538 ₽
591.07 ₽
10
557.567514 ₽
5,575.69 ₽
100
526.007060 ₽
52,600.69 ₽
500
496.233104 ₽
248,116.48 ₽
1000
468.144423 ₽
468,144.37 ₽
Цена за единицу: 591.021538 ₽
Итоговая цена: 591.07 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans IGBT Chip N-CH 330V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | IGBT 330V 28.4W TO220-3FP | IGBT 330V 30.5W TO220F |
Монтаж | Through Hole | Through Hole | - |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole | - |
Корпус / Кейс | TO-220-3 | TO-220-3 Full Pack | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 330V | 330V | - |
Количество элементов | 1 | - | - |
Условия испытания | 180V, 25A, 10 Ω, 15V | - | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - | - |
Пакетирование | Tube | Tube | - |
Серия | STripFET™ | - | - |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete | - |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - |
Количество выводов | 3 | - | - |
Максимальная потеря мощности | 250W | 28.4W | - |
Основной номер части | STGP100 | - | - |
Число контактов | 3 | - | - |
Код JESD-30 | R-PSFM-T3 | - | R-PSFM-T3 |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Входной тип | Standard | Standard | - |
Мощность - Макс | 250W | - | - |
Применение транзистора | GENERAL PURPOSE SWITCHING | - | POWER CONTROL |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 330V | 330V | - |
Максимальный ток сбора | 90A | 200mA | - |
Код JEDEC-95 | TO-220AB | - | TO-220AB |
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 50A | 1.8V @ 15V, 50A | - |
Время выключения (toff) | 310 ns | - | 394 ns |
Тд (вкл/выкл) @ 25°C | -/134ns | - | - |
Напряжение затвор-эмиттер (макс.) | 20V | - | - |
Максимальное напряжение на переходе ГЭ | 5.5V | - | - |
Корпусировка на излучение | No | No | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | RoHS Compliant |
Количество контактов | - | 3 | - |
Вес | - | 2.27g | - |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes | yes |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | MATTE TIN | Tin (Sn) |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C | - |
Минимальная температура работы | - | -55°C | - |
Тип ИGBT | - | Trench | - |
Зарядная мощность | - | 44nC | - |
Ток-эmitter импульсированный (Icm) | - | 200A | - |
Срок поставки от производителя | - | - | [object Object] |
Поверхностный монтаж | - | - | NO |
Количество терминалов | - | - | 3 |
Дополнительная Характеристика | - | - | LOW CONDUCTION LOSS |
Положение терминала | - | - | SINGLE |
Форма вывода | - | - | THROUGH-HOLE |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | NOT SPECIFIED |
Код соответствия REACH | - | - | not_compliant |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | NOT SPECIFIED |
Квалификационный Статус | - | - | Not Qualified |
Operating Temperature (Max) | - | - | 150°C |
Number of Elements | - | - | 1 |
Конфигурация | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Время включения | - | - | 40 ns |
Максимальное напряжение коллектор-эмиссия | - | - | 330V |
Транзисторы - IGBT - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRG6B330UDPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 | IGBT 330V 70A 160W TO220 | Для сравнения |
 | FGPF50N33BTTU | ON SEMICONDUCTOR | Неклассифицированный | - | - | Для сравнения |
 | FGPF4533 | ON Semiconductor | Транзисторы - IGBT - Одиночные | TO-220-3 Full Pack | IGBT 330V 28.4W TO220-3FP | Для сравнения |
| FGPF4633TU | ON SEMICONDUCTOR | Неклассифицированный | - | IGBT 330V 30.5W TO220F | Для сравнения |