STGF20H60DF Альтернативные части: FGPF15N60UNDF ,STGP15H60DF

STGF20H60DFSTMicroelectronics

  • STGF20H60DFSTMicroelectronics
  • FGPF15N60UNDFON Semiconductor
  • STGP15H60DFSTMicroelectronics

В наличии: 2370

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

  • 1

    236.984286 ₽

    236.95 ₽

  • 10

    223.570110 ₽

    2,235.71 ₽

  • 100

    210.915151 ₽

    21,091.48 ₽

  • 500

    198.976607 ₽

    99,488.32 ₽

  • 1000

    187.713723 ₽

    187,713.74 ₽

Цена за единицу: 236.984286 ₽

Итоговая цена: 236.95 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
IGBT 600V 40A 37W TO220FP
IGBT Transistors 600V, 15A Short Circuit Rated IGBT
IGBT 600V 30A 115W TO220
Срок поставки от производителя
20 Weeks
13 Weeks
20 Weeks
Монтаж
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Вид крепления
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Корпус / Кейс
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3 Full Pack
TO-220-3
Количество контактов
3
3
3
Диэлектрический пробой напряжение
600V
600V
600V
Условия испытания
400V, 20A, 10 Ω, 15V
400V, 15A, 10 Ω, 15V
400V, 15A, 10 Ω, 15V
Рабочая температура
-55°C~175°C TJ
-55°C~150°C TJ
-55°C~175°C TJ
Пакетирование
Tube
Tube
Tube
Состояние изделия
Active
Active
Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Код ECCN
EAR99
EAR99
EAR99
Максимальная потеря мощности
37W
42W
115W
Основной номер части
STGF20
-
STGP15
Конфигурация элемента
Single
Single
Single
Распад мощности
37W
-
-
Входной тип
Standard
Standard
Standard
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO)
600V
600V
600V
Максимальный ток сбора
40A
30A
30A
Время обратной рекомпенсации
90 ns
82.4 ns
103 ns
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 20A
2.7V @ 15V, 15A
2V @ 15V, 15A
Тип ИGBT
Trench Field Stop
NPT
Trench Field Stop
Зарядная мощность
115nC
43nC
81nC
Ток-эmitter импульсированный (Icm)
80A
45A
60A
Тд (вкл/выкл) @ 25°C
42.5ns/177ns
9.3ns/54.8ns
24.5ns/118ns
Переключаемый энергопотребление
209μJ (on), 261μJ (off)
370μJ (on), 67μJ (off)
136μJ (on), 207μJ (off)
Высота
15.75mm
16.07mm
15.75mm
Длина
10.4mm
10.36mm
10.4mm
Ширина
4.6mm
2.74mm
4.6mm
Корпусировка на излучение
No
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
ROHS3 Compliant
Состояние жизненного цикла
-
ACTIVE (Last Updated: 2 hours ago)
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Вес
-
2.27g
6.000006g
Материал элемента транзистора
-
SILICON
-
Количество элементов
-
1
-
Опубликовано
-
2013
-
Код JESD-609
-
e3
-
Безоловая кодировка
-
yes
-
Количество выводов
-
3
-
Конечная обработка контакта
-
Tin (Sn)
-
Код ТН ВЭД
-
8541.29.00.95
-
Сокетная связка
-
ISOLATED
-
Мощность - Макс
-
42W
115W
Применение транзистора
-
MOTOR CONTROL
-
Полярность/Тип канала
-
N-CHANNEL
-
Код JEDEC-95
-
TO-220AB
-
Время включения
-
18.8 ns
-
Время выключения (toff)
-
69.8 ns
-
Напряжение затвор-эмиттер (макс.)
-
20V
-
Максимальное напряжение на переходе ГЭ
-
8.5V
-
Время падения максимальное (tf)
-
12.8ns
-
Без свинца
-
-
Lead Free