Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SS9018FBU Альтернативные части: SS9018GBU
SS9018FBUON Semiconductor
В наличии: 60000
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
5.889588 ₽
5.91 ₽
500
4.330577 ₽
2,165.25 ₽
1000
3.608777 ₽
3,608.79 ₽
2000
3.310865 ₽
6,621.70 ₽
5000
3.094231 ₽
15,471.15 ₽
10000
2.878352 ₽
28,783.52 ₽
15000
2.783750 ₽
41,756.32 ₽
50000
2.737212 ₽
136,860.58 ₽
Цена за единицу: 5.889588 ₽
Итоговая цена: 5.91 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92 | TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92 |
Состояние жизненного цикла | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago) |
Срок поставки от производителя | 2 Weeks | 6 Weeks |
Монтаж | Through Hole | Through Hole |
Вид крепления | Through Hole | Through Hole |
Корпус / Кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Количество контактов | 3 | 3 |
Вес | 179mg | 179mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Диэлектрический пробой напряжение | 15V | 15V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Минимальная частота работы в герцах | 28 | 28 |
Рабочая температура | 150°C TJ | 150°C TJ |
Пакетирование | Bulk | Bulk |
Опубликовано | 2007 | 2002 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Obsolete | Obsolete |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 3 | 3 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 30V | 30V |
Максимальная потеря мощности | 400mW | 400mW |
Положение терминала | BOTTOM | BOTTOM |
Моментальный ток | 50mA | 50mA |
Частота | 1.1GHz | 1.1GHz |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Распад мощности | 400mW | 400mW |
Применение транзистора | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
Полярность/Тип канала | NPN | NPN |
Тип транзистора | NPN | NPN |
Токовый напряжением между эмиттером и коллектором (ВCEO) | 15V | 15V |
Максимальный ток сбора | 50mA | 50mA |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 54 @ 1mA 5V | 72 @ 1mA 5V |
Частота перехода | 1100MHz | 1100MHz |
Токовая напряжённость коллектора основания (ВЧБО) | 30V | 30V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5V | 5V |
Прямоходящий ток коллектора | 50mA | 50mA |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | 30V |
Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SS9018GBU | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | TRANSISTOR RF NPN 30V 50MA TO-92 | Для сравнения |
| PN3563 | ON Semiconductor | Транзисторы - Бипланарные (BJT) - РЧ | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3 | Для сравнения |