SMBJ58A-TRSTMicroelectronics
В наличии: 1
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
45.094176 ₽
45.05 ₽
10
42.541648 ₽
425.41 ₽
100
40.133626 ₽
4,013.32 ₽
500
37.861937 ₽
18,930.91 ₽
1000
35.718805 ₽
35,718.82 ₽
Цена за единицу: 45.094176 ₽
Итоговая цена: 45.05 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | TVS Diodes - Transient Voltage Suppressors 600W 58V Unidirect | DIODE GEN PURP 100V 1A SMB |
Состояние жизненного цикла | ACTIVE (Last Updated: 6 months ago) | - |
Срок поставки от производителя | 17 Weeks | 10 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | DO-214AA, SMB | DO-214AA, SMB |
Количество контактов | 2 | 2 |
Материал диодного элемента | SILICON | SILICON |
Пороговая напряжённость / В | 64.4V | - |
Количество элементов | 1 | 1 |
Обратная напряженность отстоя | 58V | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | - |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | SMBJ, TRANSIL™ | - |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 2 | 2 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Тип | Zener | - |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) - annealed | Matte Tin (Sn) |
Применение | General Purpose | - |
Капацитивность | 625pF | 10pF |
Мощность рейтинга | 600W | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | 58V | 100V |
Максимальная потеря мощности | 600W | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | C BEND | C BEND |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 40 |
Основной номер части | SMBJ | S1B |
Число контактов | 2 | 2 |
Входной напряжение питания | 58V | - |
Ток утечки | 200nA | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Защита линии питания | No | - |
Максимальный импульсный ток (10/1000 мкс) | 6.7A | - |
Максимальный обратный ток утечки | 200nA | - |
Максимальная напряжение-ограничение @ Ipp | 93.6V | - |
Уровень задержки | 121V | - |
Пиковый импульсный ток | 33A | - |
Максимальный импульсный ток | 1mA | 30A |
Максимальная импульсная мощность | 600W | - |
Направление | Unidirectional | - |
Ток испытания | 1mA | - |
Обратное пробивное напряжение | 64.4V | - |
Серийное сопротивление | 1.51Ohm | - |
Максимальная мощность разрядки | 4000W | - |
Максимальное напряжение разрушения | 67.8V | - |
Количество однонаправленных каналов | 1 | - |
Высота | 2.45mm | 2.5mm |
Длина | 4.6mm | 4.57mm |
Ширина | 5.59mm | 3.94mm |
REACH SVHC | No SVHC | - |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Вес | - | 92.986436mg |
Опубликовано | - | 2009 |
Безоловая кодировка | - | no |
Завершение | - | SMD/SMT |
Максимальная рабочая температура | - | 150°C |
Минимальная температура работы | - | -65°C |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY |
Код ТН ВЭД | - | 8541.10.00.80 |
Моментальный ток | - | 1A |
Скорость | - | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Тип диода | - | Standard |
Ток - Обратный Ток Утечки @ Vr | - | 5μA @ 100V |
Ток выпуска | - | 1A |
Максимальный напряжений вперед (Вф) (макс) @ If | - | 1.1V @ 1A |
Напряжённая мощность | - | 1A |
Температура работы - переходная | - | -65°C~150°C |
Напряжение включения | - | 1.1V |
Максимальное обратное напряжение (постоянное) | - | 100V |
Средний выпрямленный ток | - | 1A |
Время обратной рекомпенсации | - | 3 μs |
Пиковая обратная токовая сила | - | 5μA |
Максимальное повторное обратное напряжение (Вррм) | - | 100V |
Емкость @ Vr, Ф | - | 10pF @ 4V 1MHz |
Пиковый нерегулярный импульсный ток | - | 30A |
Обратная напряжение | - | 100V |
Максимальный передний импульсный ток (Ifsm) | - | 30A |
Время восстановления | - | 1.8 μs |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C |
Обратная напряжение (DC) | - | 100V |
Корпусировка на излучение | - | No |