Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SIR172ADP-T1-GE3 Альтернативные части: NTMS4700NR2G ,SIRA18DP-T1-GE3
SIR172ADP-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 5132
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
70.999341 ₽
71.02 ₽
10
66.980495 ₽
669.78 ₽
100
63.189121 ₽
6,318.96 ₽
500
59.612390 ₽
29,806.18 ₽
1000
56.238104 ₽
56,238.05 ₽
Цена за единицу: 70.999341 ₽
Итоговая цена: 71.02 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 30V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC | MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 13.3A N-Ch G-IV |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | - | 14 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | PowerPAK® SO-8 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | PowerPAK® SO-8 |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Поставщик упаковки устройства | PowerPAK® SO-8 | - | - |
Вес | 506.605978mg | - | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 24A Tc | 8.6A Ta | 33A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 29.8W Tc | 860mW Ta | 3.3W Ta 14.7W Tc |
Время отключения | 22 ns | 29.5 ns | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Cut Tape (CT) |
Серия | TrenchFET® | - | TrenchFET® |
Опубликовано | 2015 | 2006 | 2011 |
Состояние изделия | Active | Obsolete | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Сопротивление | 8.9mOhm | - | - |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | - | - |
Распад мощности | 3.9W | 1.56W | 3.3W |
Время задержки включения | 18 ns | - | - |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 10A, 10V | 7.2m Ω @ 13A, 10V | 7.5m Ω @ 10A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 250μA | 3V @ 250μA | 2.4V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1515pF @ 15V | 1600pF @ 24V | 1000pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 44nC @ 10V | 24nC @ 4.5V | 21.5nC @ 10V |
Время подъема | 23ns | 5ns | - |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | 30V |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | +20V, -16V |
Время падения (тип) | 11 ns | 5 ns | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 24A | 8.6A | 33A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V | - |
Входной ёмкости | 1.515nF | - | - |
Сопротивление стока к истоку | 8.5mOhm | - | - |
Rds на макс. | 8.5 mΩ | - | - |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | RoHS Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 | - |
Количество выводов | - | 8 | 5 |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | - | Tin (Sn) | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V | - |
Положение терминала | - | DUAL | DUAL |
Форма вывода | - | GULL WING | FLAT |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | 260 | 240 |
Код соответствия REACH | - | unknown | - |
Моментальный ток | - | 14.5A | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | 40 | 40 |
Число контактов | - | 8 | - |
Квалификационный Статус | - | Not Qualified | - |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.01Ohm | 0.0075Ohm |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Код JESD-30 | - | - | R-PDSO-F5 |
Сокетная связка | - | - | DRAIN |
Пороговое напряжение | - | - | 1.2V |
Максимальный импульсный ток вывода | - | - | 70A |
Минимальная напряжённость разрушения | - | - | 30V |
REACH SVHC | - | - | Unknown |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BSO301SPNTMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin DSO | Для сравнения |
 | FDS8880 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 11.6A 8SOIC | Для сравнения |
 | NTMS4700NR2G | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC | Для сравнения |
 | SIRA18DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | PowerPAK® SO-8 | MOSFET 30V 7.5mOhm@10V 13.3A N-Ch G-IV | Для сравнения |