SIA533EDJ-T1-GE3 Альтернативные части: SIA910EDJ-T1-GE3 ,SIA517DJ-T1-GE3

SIA533EDJ-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 16540

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
84.431648 ₽
84.48 ₽
10
79.652527 ₽
796.57 ₽
100
75.143874 ₽
7,514.42 ₽
500
70.890440 ₽
35,445.19 ₽
1000
66.877734 ₽
66,877.75 ₽

Цена за единицу: 84.431648 ₽

Итоговая цена: 84.48 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSIA533EDJ-T1-GE3	иSIA910EDJ-T1-GE3	иSIA517DJ-T1-GE3
Производитель:	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Описание:	MOSFET 12V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET	Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
Срок поставки от производителя	14 Weeks	14 Weeks	14 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	PowerPAK® SC-70-6 Dual	PowerPAK® SC-70-6 Dual	PowerPAK® SC-70-6 Dual
Количество контактов	6	6	6
Вес	28.009329mg	28.009329mg	28.009329mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Количество элементов	2	2	2
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
Опубликовано	2015	2015	2017
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	6	6	6
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	34MOhm	28MOhm	-
Максимальная потеря мощности	7.8W	7.8W	6.5W
Форма вывода	C BEND	-	NO LEAD
Температура пайки (пиковая) (°C)	NOT SPECIFIED	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	NOT SPECIFIED	40	40
Основной номер части	SIA533	SIA910E	SIA517
Число контактов	6	6	6
Квалификационный Статус	Not Qualified	-	Not Qualified
Каналов количество	2	2	2
Конфигурация элемента	Single	Dual	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	7.8W	1.9W	1.9W
Сокетная связка	DRAIN	DRAIN	DRAIN
Тип ТРВ	N and P-Channel	2 N-Channel (Dual)	N and P-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	34m Ω @ 4.6A, 4.5V	28m Ω @ 5.2A, 4.5V	29m Ω @ 5A, 4.5V
Втс(th) (Макс) @ Id	1V @ 250μA	1V @ 250μA	1V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	420pF @ 6V	455pF @ 6V	500pF @ 6V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	15nC @ 10V	16nC @ 8V	15nC @ 8V
Напряжение стока-исток (Vdss)	12V	12V	12V
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	-	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Непрерывный ток стока (ID)	4.5A	4.5A	4.5A
Пороговое напряжение	400mV	400mV	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	8V	8V	8V
Напряжение пробоя стока к истоку	12V	12V	12V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Максимальная температура перехода (Тj)	150°C	-	150°C
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Номинальное Vgs	400 mV	400 mV	400 mV
Высота	800μm	-	800μm
REACH SVHC	Unknown	Unknown	Unknown
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Время отключения	-	25 ns	30 ns
Код JESD-609	-	e3	e3
Безоловая кодировка	-	yes	yes
Конечная обработка контакта	-	MATTE TIN	Matte Tin (Sn)
Время задержки включения	-	10 ns	30 ns
Время подъема	-	12ns	25ns
Время падения (тип)	-	12 ns	25 ns
Корпусировка на излучение	-	No	-
Длина	-	-	2.05mm
Ширина	-	-	2.05mm

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
DMP1045UFY4-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	3-XFDFN	MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3	Для сравнения
SIA910EDJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	PowerPAK® SC-70-6 Dual	Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L	Для сравнения
SIA517DJ-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	PowerPAK® SC-70-6 Dual	MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6	Для сравнения
DMN1032UCB4-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	4-UFBGA, WLBGA	MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W	Для сравнения