Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SIA533EDJ-T1-GE3 Альтернативные части: DMN1032UCB4-7 ,DMP1045UFY4-7
SIA533EDJ-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 16540
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
84.431648 ₽
84.48 ₽
10
79.652527 ₽
796.57 ₽
100
75.143874 ₽
7,514.42 ₽
500
70.890440 ₽
35,445.19 ₽
1000
66.877734 ₽
66,877.75 ₽
Цена за единицу: 84.431648 ₽
Итоговая цена: 84.48 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 12V 4.5A/4.5A N&P-CH MOSFET | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W | MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3 |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 34 Weeks | 15 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | PowerPAK® SC-70-6 Dual | 4-UFBGA, WLBGA | 3-XFDFN |
Количество контактов | 6 | 4 | 3 |
Вес | 28.009329mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | - |
Количество элементов | 2 | 1 | - |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | - | - |
Опубликовано | 2015 | 2015 | 2012 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 4 | - |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 34MOhm | - | - |
Максимальная потеря мощности | 7.8W | - | - |
Форма вывода | C BEND | BALL | - |
Температура пайки (пиковая) (°C) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
Основной номер части | SIA533 | - | - |
Число контактов | 6 | - | - |
Квалификационный Статус | Not Qualified | - | - |
Каналов количество | 2 | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 7.8W | - | - |
Сокетная связка | DRAIN | - | - |
Тип ТРВ | N and P-Channel | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 34m Ω @ 4.6A, 4.5V | 26m Ω @ 1A, 4.5V | 32m Ω @ 4A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250μA | 1.2V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 420pF @ 6V | 450pF @ 6V | 1291pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 15nC @ 10V | 4.5nC @ 4.5V | 23.7nC @ 8V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 12V | - | 12V |
Полярность/Тип канала | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | - | - |
Непрерывный ток стока (ID) | 4.5A | 4.8A | 5.5A |
Пороговое напряжение | 400mV | - | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 8V | 8V | 8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 12V | 12V | -12V |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | 150°C | - | - |
Характеристика ТРП | Logic Level Gate | - | - |
Номинальное Vgs | 400 mV | - | - |
Высота | 800μm | - | - |
REACH SVHC | Unknown | - | No SVHC |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | - | - |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | - | 4.8A Ta | 5.5A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | - | 1.8V 4.5V | 1.8V 4.5V |
Максимальная мощность рассеяния | - | 900mW Ta | 700mW Ta |
Время отключения | - | 24 ns | 74 ns |
Код JESD-609 | - | e1 | e4 |
Конечная обработка контакта | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Дополнительная Характеристика | - | HIGH RELIABILITY | - |
Положение терминала | - | BOTTOM | - |
Время задержки включения | - | 3.3 ns | 14 ns |
Время подъема | - | 5.6ns | 22ns |
Угол настройки (макс.) | - | ±8V | ±8V |
Время падения (тип) | - | 9 ns | 75 ns |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.038Ohm | - |
Конфигурация | - | - | Single |
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP1045UFY4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 3-XFDFN | MOSFET P-CH 24V X2-DFN2015-3 | Для сравнения |
 | SIA910EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | Dual N-Channel 12 V 28 mOhm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPAK SC-70-6L | Для сравнения |
| SIA517DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | PowerPAK® SC-70-6 Dual | MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6 | Для сравнения |
 | DMN1032UCB4-7 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 4-UFBGA, WLBGA | MOSFET 20V N-Ch Enh Mode FET 12V 8Vgss 0.9W | Для сравнения |