Все продукты

Войти

Место отправки: Китай

+852-8177 7669

Главная /Каталог товаров /SI7501DN-T1-GE3 Против SI4936BDY-T1-E3 /

SI7501DN-T1-GE3 Альтернативные части: SI4936BDY-T1-E3 ,SI4936BDY-T1-GE3

SI7501DN-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 1

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Имя контакта

Бизнес электронная почта

Название компании

Страна

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Количество

Скрыть общие атрибуты	иSI7501DN-T1-GE3	иSI4936BDY-T1-E3	иSI4936BDY-T1-GE3
Производитель:	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Описание:	MOSFET N/P-Ch MOSFET 30V 51/35mohoms @10V	SI4936BDY-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 5.9 A; 30 V; 8-Pin SOIC	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	PowerPAK® 1212-8 Dual	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	5.4A 4.5A	-	-
Количество элементов	2	2	2
Время отключения	25 ns	12 ns	12 ns
Пакетирование	Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	TrenchFET®	TrenchFET®
Опубликовано	2012	2009	2011
Код JESD-609	e3	e3	-
Безоловая кодировка	yes	yes	yes
Состояние изделия	Obsolete	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	5	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	PURE MATTE TIN	Matte Tin (Sn)	Pure Matte Tin (Sn)
Максимальная рабочая температура	150°C	-	-
Минимальная температура работы	-55°C	-	-
Максимальная потеря мощности	1.6W	2W	2.8W
Форма вывода	C BEND	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	40	30
Основной номер части	SI7501	SI4936	SI4936
Число контактов	8	8	8
Код JESD-30	S-XDSO-C5	-	-
Конфигурация элемента	Dual	Dual	Dual
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	3.1W	2W	-
Время задержки включения	10 ns	5 ns	5 ns
Тип ТРВ	N and P-Channel, Common Drain	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	35m Ω @ 7.7A, 10V	35m Ω @ 5.9A, 10V	35m Ω @ 5.9A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 250μA	3V @ 250μA	3V @ 250μA
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	14nC @ 10V	15nC @ 10V	15nC @ 10V
Время подъема	20ns	25ns	25ns
Полярность/Тип канала	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	-	-
Время падения (тип)	20 ns	25 ns	10 ns
Непрерывный ток стока (ID)	5.4A	6.9A	6.9A
Пороговое напряжение	3V	3V	3V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	25V	20V	20V
Сопротивление открытого канала-макс	0.035Ohm	-	0.035Ohm
Напряжение пробоя стока к истоку	30V	30V	30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Характеристика ТРП	Logic Level Gate	Logic Level Gate	Logic Level Gate
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	Unknown
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Срок поставки от производителя	-	14 Weeks	14 Weeks
Вес	-	506.605978mg	506.605978mg
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Рабочая температура	-	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Завершение	-	SMD/SMT	-
Сопротивление	-	35mOhm	-
Каналов количество	-	2	2
Мощность - Макс	-	2.8W	-
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	-	530pF @ 15V	530pF @ 15V
Максимальный импульсный ток вывода	-	30A	-
Двухпитание напряжения	-	30V	-
Номинальное Vgs	-	3 V	-
Высота	-	1.55mm	-
Длина	-	5mm	-
Ширина	-	4mm	-
Без свинца	-	Lead Free	-
Напряжение стока-исток (Vdss)	-	-	30V

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
SI4936BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	SI4936BDY-T1-E3 Dual N-channel MOSFET Transistor; 5.9 A; 30 V; 8-Pin SOIC	Для сравнения
SI4936BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC	Для сравнения
SI2338DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts	Для сравнения
AUIRF7313QTR	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC	Для сравнения