Все продукты

Войти

Место отправки: Китай

+852-8177 7669

Главная /Каталог товаров /SI4834CDY-T1-E3 Против IRF8313PBF /

SI4834CDY-T1-E3 Альтернативные части: IRF8313PBF ,NTMS4800NR2G

SI4834CDY-T1-E3Vishay Siliconix

В наличии: 5000

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Имя контакта

Бизнес электронная почта

Название компании

Страна

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Количество

Скрыть общие атрибуты	иSI4834CDY-T1-E3	иIRF8313PBF	иNTMS4800NR2G
Производитель:	Vishay Siliconix	Infineon Technologies	ON Semiconductor
Описание:	MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	15 Weeks	6 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	-	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	-	8
Поставщик упаковки устройства	8-SO	-	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	8A	9.7A	4.9A Ta
Количество элементов	2	2	1
Время отключения	18 ns	-	21 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tube	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	-	-
Опубликовано	2009	2004	2008
Состояние изделия	Obsolete	Discontinued	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Завершение	SMD/SMT	-	-
Максимальная рабочая температура	150°C	-	-
Минимальная температура работы	-55°C	-	-
Максимальная потеря мощности	2W	-	-
Основной номер части	SI4834	IRF8313PBF	-
Распад мощности	2W	-	2W
Время задержки включения	17 ns	-	9.4 ns
Мощность - Макс	2.9W	2W	-
Тип ТРВ	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)	N-Channel
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	20mOhm @ 8A, 10V	15.5m Ω @ 9.7A, 10V	20m Ω @ 7.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	3V @ 1mA	2.35V @ 25μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	950pF @ 15V	760pF @ 15V	940pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	25nC @ 10V	90nC @ 4.5V	7.7nC @ 4.5V
Время подъема	12ns	-	4ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	30V	-
Время падения (тип)	10 ns	-	6.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	8A	-	6.4A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	-	20V
Двухпитание напряжения	30V	-	-
Входной ёмкости	950pF	-	-
Характеристика ТРП	Standard	Logic Level Gate	-
Сопротивление стока к истоку	20mOhm	-	-
Rds на макс.	20 mΩ	-	-
Номинальное Vgs	3 V	-	-
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Поверхностный монтаж	-	YES	-
Материал элемента транзистора	-	SILICON	SILICON
Код JESD-609	-	e3	e3
Количество выводов	-	8	8
Код ECCN	-	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	-	Matte Tin (Sn)	Tin (Sn)
Форма вывода	-	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	-	NOT SPECIFIED	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	-	NOT SPECIFIED	-
Код JESD-30	-	R-PDSO-G8	-
Квалификационный Статус	-	Not Qualified	-
Конфигурация	-	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	-
Режим работы	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Применение транзистора	-	SWITCHING	SWITCHING
Код JEDEC-95	-	MS-012AA	-
Максимальный сливовой ток (ID)	-	9.7A	8A
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.0155Ohm	0.02Ohm
Максимальный импульсный ток вывода	-	81A	-
Минимальная напряжённость разрушения	-	30V	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	46 mJ	-
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
Максимальная потеря мощности (абс.)	-	2W	-
Состояние жизненного цикла	-	-	OBSOLETE (Last Updated: 19 hours ago)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	-	-	4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния	-	-	750mW Ta
Безоловая кодировка	-	-	yes
Положение терминала	-	-	DUAL
Число контактов	-	-	8
Конфигурация элемента	-	-	Single
Сокетная связка	-	-	DRAIN
Угол настройки (макс.)	-	-	±20V
Напряжение пробоя стока к истоку	-	-	30V
Без свинца	-	-	Lead Free

Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF8313TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8313PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC	Для сравнения
NTMS4800NR2G	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC	Для сравнения
SI4830CDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky	Для сравнения