Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4686DY-T1-E3 Альтернативные части: IRF8714PBF
SI4686DY-T1-E3Vishay Siliconix
В наличии: 6566
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
131.444725 ₽
131.46 ₽
10
124.004478 ₽
1,240.11 ₽
100
116.985330 ₽
11,698.49 ₽
500
110.363489 ₽
55,181.73 ₽
1000
104.116497 ₽
104,116.48 ₽
Цена за единицу: 131.444725 ₽
Итоговая цена: 131.46 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC | Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 14 Weeks |
Покрытие контактов | Tin | - |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 18.2A Tc | 14A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 3W Ta 5.2W Tc | 2.5W Ta |
Время отключения | 20 ns | 11 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tube |
Серия | TrenchFET® | HEXFET® |
Опубликовано | 2017 | 2007 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | - |
Состояние изделия | Active | Discontinued |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 9.5mOhm | 8.7MOhm |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 |
Число контактов | 8 | - |
Каналов количество | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 3W | 2.5W |
Время задержки включения | 20 ns | 10 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 9.5m Ω @ 13.8A, 10V | 8.7m Ω @ 14A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 3V @ 250μA | 2.35V @ 25μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1220pF @ 15V | 1020pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 26nC @ 10V | 12nC @ 4.5V |
Время подъема | 20ns | 9.9ns |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V |
Время падения (тип) | 8 ns | 5 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 18.2A | 14A |
Пороговое напряжение | 1V | 1.8V |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | 30V |
Высота | 1.55mm | 1.4986mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm |
REACH SVHC | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Lead Free |
Завершение | - | SMD/SMT |
Конечная обработка контакта | - | Matte Tin (Sn) |
Двухпитание напряжения | - | 30V |
Рейтинг энергии лавины (Eas) | - | 65 mJ |
Время восстановления | - | 21 ns |
Номинальное Vgs | - | 1.8 V |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI4884BDY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 30V 12A 2.95W | Для сравнения |
 | IRF8714PBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Single N-Channel 30 V 13 mOhm 12 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 | Для сравнения |
| IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF8721TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | Для сравнения |