SI4634DY-T1-GE3 Альтернативные части: IRF7834PBF ,IRF8113GPBF

SI4634DY-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 58

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
71.575014 ₽
71.57 ₽
10
67.523640 ₽
675.27 ₽
100
63.701470 ₽
6,370.19 ₽
500
60.095755 ₽
30,047.94 ₽
1000
56.694121 ₽
56,694.09 ₽

Цена за единицу: 71.575014 ₽

Итоговая цена: 71.57 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4634DY-T1-GE3	иIRF7834PBF	иIRF8113GPBF
Производитель:	Vishay Siliconix	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Описание:	MOSFET 30V 24.5A 5.7W 5.2mohm @ 10V	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO
Срок поставки от производителя	14 Weeks	15 Weeks	-
Покрытие контактов	Tin	-	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	186.993455mg	-	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	-
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	24.5A Tc	19A Ta	17.2A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 5.7W Tc	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	33 ns	18 ns	17 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tube	Tube
Серия	TrenchFET®	HEXFET®	HEXFET®
Опубликовано	2012	2004	2009
Код JESD-609	e3	-	-
Состояние изделия	Active	Discontinued	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	-
Код ECCN	EAR99	EAR99	-
Положение терминала	DUAL	DUAL	-
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	-
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	40	-	-
Число контактов	8	-	-
Каналов количество	1	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	-
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	14 ns	13.7 ns	13 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	-
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	5.2m Ω @ 15A, 10V	4.5m Ω @ 19A, 10V	5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 250μA	2.25V @ 250μA	2.2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	3150pF @ 15V	3710pF @ 15V	2910pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	68nC @ 10V	44nC @ 4.5V	36nC @ 4.5V
Время подъема	10ns	14.3ns	8.9ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	30V
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	8 ns	5 ns	3.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)	24.5A	19A	17.2A
Пороговое напряжение	2.6V	-	-
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Сопротивление открытого канала-макс	0.0052Ohm	0.0045Ohm	-
Максимальный импульсный ток вывода	70A	-	-
Минимальная напряжённость разрушения	30V	-	-
Рейтинг энергии лавины (Eas)	45 mJ	25 mJ	-
Высота	1.5mm	1.4986mm	1.4986mm
Длина	5mm	4.9784mm	4.9784mm
Ширина	4mm	3.9878mm	3.9878mm
REACH SVHC	Unknown	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	RoHS Compliant
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	30V	-
Моментальный ток	-	19A	-
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V	30V
Номинальное Vgs	-	2.25 V	2.2 V
Без свинца	-	Lead Free	-
Поставщик упаковки устройства	-	-	8-SO
Максимальная рабочая температура	-	-	150°C
Минимальная температура работы	-	-	-55°C
Входной ёмкости	-	-	2.91nF
Сопротивление стока к истоку	-	-	7.4mOhm
Rds на макс.	-	-	5.6 mΩ

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7834TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7862TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7834PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC	Для сравнения
IRF8113GPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO	Для сравнения