Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4463BDY-T1-GE3 Альтернативные части: FDS6898A ,SI4421DY-T1-E3
SI4463BDY-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 4957
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
221.633077 ₽
221.57 ₽
10
209.087775 ₽
2,090.93 ₽
100
197.252665 ₽
19,725.27 ₽
500
186.087445 ₽
93,043.68 ₽
1000
175.554121 ₽
175,554.12 ₽
Цена за единицу: 221.633077 ₽
Итоговая цена: 221.57 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC | MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 10 Weeks | 14 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Поставщик упаковки устройства | 8-SO | - | - |
Вес | 186.993455mg | 187mg | 186.993455mg |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 9.8A Ta | - | 10A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 2.5V 10V | - | 1.8V 4.5V |
Количество элементов | 1 | 2 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.5W Ta | - | 1.5W Ta |
Время отключения | 115 ns | 34 ns | 350 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | PowerTrench® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2009 | 2017 | 2009 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Максимальная рабочая температура | 150°C | - | - |
Минимальная температура работы | -55°C | - | - |
Каналов количество | 1 | 2 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Dual | Single |
Распад мощности | 1.5W | 2W | 1.5W |
Время задержки включения | 35 ns | 10 ns | 45 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | 2 N-Channel (Dual) | P-Channel |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 13.7A, 10V | 14m Ω @ 9.4A, 4.5V | 8.75m Ω @ 14A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.4V @ 250μA | 1.5V @ 250μA | 800mV @ 850μA |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 56nC @ 4.5V | 23nC @ 4.5V | 125nC @ 4.5V |
Время подъема | 60ns | 15ns | 90ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | - | 20V |
Угол настройки (макс.) | ±12V | - | ±8V |
Время падения (тип) | 75 ns | 16 ns | 90 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 13.7A | 9.4A | -14A |
Пороговое напряжение | -1.4V | 500mV | - |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 12V | 8V |
Напряжение пробоя стока к истоку | -20V | 20V | -20V |
Сопротивление стока к истоку | 11mOhm | - | - |
Rds на макс. | 11 mΩ | - | - |
Высота | 1.55mm | 1.75mm | 1.55mm |
Длина | 5mm | 5mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 4mm | 4mm |
REACH SVHC | Unknown | No SVHC | Unknown |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Состояние жизненного цикла | - | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | - |
Покрытие контактов | - | Tin | - |
Материал элемента транзистора | - | SILICON | SILICON |
Код JESD-609 | - | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | - | yes | - |
Количество выводов | - | 8 | 8 |
Завершение | - | SMD/SMT | - |
Код ECCN | - | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | - | 14MOhm | 8.75MOhm |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 20V | - |
Максимальная потеря мощности | - | 2W | - |
Форма вывода | - | GULL WING | GULL WING |
Моментальный ток | - | 9.4A | - |
Режим работы | - | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Мощность - Макс | - | 900mW | - |
Применение транзистора | - | SWITCHING | SWITCHING |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | - | 1821pF @ 10V | - |
Двухпитание напряжения | - | 20V | - |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Характеристика ТРП | - | Logic Level Gate | - |
Номинальное Vgs | - | 1 V | -800 mV |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Конечная обработка контакта | - | - | MATTE TIN |
Положение терминала | - | - | DUAL |
Температура пайки (пиковая) (°C) | - | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | - | - | 40 |
Число контактов | - | - | 8 |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6576 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
 | SI4116DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 25V 18A 5.0W 8.6mohm @ 10V | Для сравнения |
| FDS6898A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR - FDS6898A - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SOIC | Для сравнения |
| SI4421DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC | Для сравнения |