Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4431CDY-T1-E3 Альтернативные части: IRF7807VTRPBF ,DMN3024LSD-13
SI4431CDY-T1-E3Vishay Siliconix
В наличии: 10
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
156.084916 ₽
156.15 ₽
10
147.249930 ₽
1,472.49 ₽
100
138.914986 ₽
13,891.48 ₽
500
131.051913 ₽
65,525.98 ₽
1000
123.633883 ₽
123,633.94 ₽
Цена за единицу: 156.084916 ₽
Итоговая цена: 156.15 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 10 Weeks | 17 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | - | 73.992255mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 9A Tc | 8.3A Ta | 6.8A |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V | - |
Количество элементов | 1 | 1 | 2 |
Максимальная мощность рассеяния | 4.2W Tc | 2.5W Ta | - |
Время отключения | 22 ns | 11 ns | 16 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Digi-Reel® |
Серия | TrenchFET® | HEXFET® | - |
Опубликовано | 2011 | 2003 | 2009 |
Код JESD-609 | e3 | - | e3 |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | MATTE TIN | - | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | DUAL | - | - |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | - | 40 |
Число контактов | 8 | - | 8 |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Время задержки включения | 38 ns | 6.3 ns | 2.9 ns |
Тип ТРВ | P-Channel | N-Channel | 2 N-Channel (Dual) |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 32m Ω @ 7A, 10V | 25m Ω @ 7A, 4.5V | 24m Ω @ 7A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250μA | 3V @ 250μA | 3V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 1006pF @ 15V | - | 608pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 38nC @ 10V | 14nC @ 5V | 12.9nC @ 10V |
Время подъема | 89ns | 1.2ns | 3.3ns |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 30V | - | - |
Угол настройки (макс.) | ±20V | ±20V | - |
Время падения (тип) | 11 ns | 2.2 ns | 8 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 7A | 8.3A | 7.2A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 20V | 20V | 20V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 7A | - | 5.7A |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.032Ohm | - | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 30V | - | - |
Высота | 1.5mm | 1.4986mm | - |
Длина | 5mm | 4.9784mm | - |
Ширина | 4mm | 3.9878mm | - |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Сопротивление | - | 25MOhm | - |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 30V | - |
Моментальный ток | - | 8.3A | - |
Конфигурация | - | Single | - |
Распад мощности | - | 2.5W | 2W |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | 30V | 30V |
Без свинца | - | Lead Free | - |
Безоловая кодировка | - | - | yes |
Максимальная потеря мощности | - | - | 1.8W |
Основной номер части | - | - | DMN3024LSD |
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток) | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Характеристика ТРП | - | - | Logic Level Gate |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO | Для сравнения |
| DMC3028LSD-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO | Для сравнения |
| DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO | Для сравнения |
 | IRF7807VTRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC | Для сравнения |