Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4368DY-T1-E3 Альтернативные части: BSO033N03MSGXUMA1 ,IRF7831TRPBF
SI4368DY-T1-E3Vishay Siliconix
В наличии: 1130
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
223.551978 ₽
223.49 ₽
10
210.898077 ₽
2,108.93 ₽
100
198.960495 ₽
19,896.02 ₽
500
187.698558 ₽
93,849.31 ₽
1000
177.074080 ₽
177,074.04 ₽
Цена за единицу: 223.551978 ₽
Итоговая цена: 223.49 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin DSO | Single N-Channel 30 V 3.6 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 18 Weeks | 12 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | - | - |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 17A Ta | 17A Ta | 21A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 4.5V 10V |
Количество элементов | 1 | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.6W Ta | 1.56W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 172 ns | - | 17 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | OptiMOS™ | HEXFET® |
Опубликовано | 2016 | 2009 | 2005 |
Код JESD-609 | e3 | e3 | e3 |
Состояние изделия | Active | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 3 (168 Hours) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | 8 | 8 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
Сопротивление | 3.2mOhm | - | 3.6MOhm |
Конечная обработка контакта | MATTE TIN | - | - |
Положение терминала | DUAL | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | NOT SPECIFIED | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 40 | NOT SPECIFIED | - |
Число контактов | 8 | - | - |
Каналов количество | 1 | - | - |
Конфигурация элемента | Single | - | - |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.6W | 1.56W | 2.5W |
Время задержки включения | 25 ns | - | 18 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 3.2m Ω @ 25A, 10V | 3.3m Ω @ 22A, 10V | 3.6m Ω @ 20A, 10V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.8V @ 250μA | 2V @ 250μA | 2.35V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 8340pF @ 15V | 9600pF @ 15V | 6240pF @ 15V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 80nC @ 4.5V | 124nC @ 10V | 60nC @ 4.5V |
Время подъема | 20ns | 12.8ns | 10ns |
Угол настройки (макс.) | ±12V | ±20V | ±12V |
Время падения (тип) | 20 ns | - | 5.3 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 17A | 17A | 21A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 20V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 30V | - | 30V |
Высота | 1.55mm | - | 1.4986mm |
Длина | 5mm | - | 4.9784mm |
Ширина | 4mm | - | 3.9878mm |
Корпусировка на излучение | No | - | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Покрытие контактов | - | Tin | Tin |
Конфигурация | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Без галогенов | - | Halogen Free | - |
Максимальное напряжение питания с двумя источниками | - | 30V | - |
Сопротивление открытого канала-макс | - | 0.0033Ohm | - |
Без свинца | - | Lead Free | Lead Free |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | - | 30V |
Моментальный ток | - | - | 21A |
Пороговое напряжение | - | - | 2.35V |
Время восстановления | - | - | 62 ns |
Номинальное Vgs | - | - | 2.35 V |
REACH SVHC | - | - | No SVHC |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7862TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC | Для сравнения |
 | BSO033N03MSGXUMA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin DSO | Для сравнения |
| IRF7831TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Single N-Channel 30 V 3.6 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8 | Для сравнения |
| IRF7822TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | Для сравнения |