SI4214DY-T1-GE3 Альтернативные части: NTMS4800NR2G

SI4214DY-T1-GE3Vishay Siliconix

  • SI4214DY-T1-GE3Vishay Siliconix
  • NTMS4800NR2GON Semiconductor

В наличии:

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Belarus

Russia

Ukraine

China

United States

Canada

Japan

Germany

United Kingdom

Singapore

Italy

Hong Kong(China)

Taiwan(China)

France

Korea

Mexico

Netherlands

Malaysia

Austria

Spain

Switzerland

Poland

Thailand

Vietnam

India

United Arab Emirates

Afghanistan

Åland Islands

Albania

Algeria

American Samoa

Andorra

Angola

Anguilla

Antigua & Barbuda

Argentina

Armenia

Aruba

Australia

Azerbaijan

Bahamas

Bahrain

Bangladesh

Barbados

Belgium

Belize

Benin

Bermuda

Bhutan

Bolivia

Bonaire, Sint Eustatius and Saba

Bosnia & Herzegovina

Botswana

Brazil

British Indian Ocean Territory

British Virgin Islands

Brunei

Bulgaria

Burkina Faso

Burundi

Cabo Verde

Cambodia

Cameroon

Cayman Islands

Central African Republic

Chad

Chile

Christmas Island

Cocos (Keeling) Islands

Colombia

Comoros

Congo

Congo (DRC)

Cook Islands

Costa Rica

Côte d’Ivoire

Croatia

Cuba

Curaçao

Cyprus

Czechia

Denmark

Djibouti

Dominica

Dominican Republic

Ecuador

Egypt

El Salvador

Equatorial Guinea

Eritrea

Estonia

Eswatini

Ethiopia

Falkland Islands

Faroe Islands

Fiji

Finland

French Guiana

French Polynesia

Gabon

Gambia

Georgia

Ghana

Gibraltar

Greece

Greenland

Grenada

Guadeloupe

Guam

Guatemala

Guernsey

Guinea

Guinea-Bissau

Guyana

Haiti

Honduras

Hungary

Iceland

Indonesia

Iran

Iraq

Ireland

Isle of Man

Israel

Jamaica

Jersey

Jordan

Kazakhstan

Kenya

Kiribati

Kosovo

Kuwait

Kyrgyzstan

Laos

Latvia

Lebanon

Lesotho

Liberia

Libya

Liechtenstein

Lithuania

Luxembourg

Macao(China)

Madagascar

Malawi

Maldives

Mali

Malta

Marshall Islands

Martinique

Mauritania

Mauritius

Mayotte

Micronesia

Moldova

Monaco

Mongolia

Montenegro

Montserrat

Morocco

Mozambique

Myanmar

Namibia

Nauru

Nepal

New Caledonia

New Zealand

Nicaragua

Niger

Nigeria

Niue

Norfolk Island

North Korea

North Macedonia

Northern Mariana Islands

Norway

Oman

Pakistan

Palau

Palestinian Authority

Panama

Papua New Guinea

Paraguay

Peru

Philippines

Pitcairn Islands

Portugal

Puerto Rico

Qatar

Réunion

Romania

Rwanda

Samoa

San Marino

São Tomé & Príncipe

Saudi Arabia

Senegal

Serbia

Seychelles

Sierra Leone

Sint Maarten

Slovakia

Slovenia

Solomon Islands

Somalia

South Africa

South Sudan

Sri Lanka

St Helena, Ascension, Tristan da Cunha

St. Barthélemy

St. Kitts & Nevis

St. Lucia

St. Martin

St. Pierre & Miquelon

St. Vincent & Grenadines

Sudan

Suriname

Svalbard & Jan Mayen

Sweden

Syria

Tajikistan

Tanzania

Timor-Leste

Togo

Tokelau

Tonga

Trinidad & Tobago

Tunisia

Turkey

Turkmenistan

Turks & Caicos Islands

Tuvalu

U.S. Outlying Islands

U.S. Virgin Islands

Uganda

Uruguay

Uzbekistan

Vanuatu

Vatican City

Venezuela

Wallis & Futuna

Yemen

Zambia

Zimbabwe

Скрыть общие атрибуты
Производитель:
Описание:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Срок поставки от производителя
15 Weeks
-
Монтаж
Surface Mount
Surface Mount
Вид крепления
Surface Mount
Surface Mount
Корпус / Кейс
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов
8
8
Вес
186.993455mg
-
Материал элемента транзистора
SILICON
SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C
8.5A
4.9A Ta
Количество элементов
2
1
Время отключения
18 ns
21 ns
Рабочая температура
-55°C~150°C TJ
-55°C~150°C TJ
Пакетирование
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Серия
TrenchFET®
-
Опубликовано
2013
2008
Код JESD-609
e3
e3
Состояние изделия
Obsolete
Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)
1 (Unlimited)
1 (Unlimited)
Количество выводов
8
8
Код ECCN
EAR99
EAR99
Сопротивление
23.5mOhm
-
Конечная обработка контакта
PURE MATTE TIN
Tin (Sn)
Максимальная потеря мощности
3.1W
-
Форма вывода
GULL WING
GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)
260
-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)
30
-
Число контактов
8
8
Режим работы
ENHANCEMENT MODE
ENHANCEMENT MODE
Распад мощности
2W
2W
Время задержки включения
13 ns
9.4 ns
Тип ТРВ
2 N-Channel (Dual)
N-Channel
Применение транзистора
SWITCHING
SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs
23.5m Ω @ 7A, 10V
20m Ω @ 7.5A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250μA
3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds
785pF @ 15V
940pF @ 25V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs
23nC @ 10V
7.7nC @ 4.5V
Время подъема
11ns
4ns
Время падения (тип)
9 ns
6.5 ns
Непрерывный ток стока (ID)
6.8A
6.4A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)
20V
20V
Напряжение пробоя стока к истоку
30V
30V
Технология ТРП (Транзисторный Регулируемый Поток)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
-
Характеристика ТРП
Standard
-
Корпусировка на излучение
No
No
Состояние RoHS
ROHS3 Compliant
RoHS Compliant
Без свинца
Lead Free
Lead Free
Состояние жизненного цикла
-
OBSOLETE (Last Updated: 19 hours ago)
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)
-
4.5V 10V
Максимальная мощность рассеяния
-
750mW Ta
Безоловая кодировка
-
yes
Положение терминала
-
DUAL
Конфигурация элемента
-
Single
Сокетная связка
-
DRAIN
Угол настройки (макс.)
-
±20V
Максимальный сливовой ток (ID)
-
8A
Сопротивление открытого канала-макс
-
0.02Ohm