Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI4114DY-T1-GE3 Альтернативные части: IRF7457TRPBF ,FDS6576
SI4114DY-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 282428
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
149.674286 ₽
149.73 ₽
10
141.202143 ₽
1,412.09 ₽
100
133.209533 ₽
13,321.02 ₽
500
125.669409 ₽
62,834.75 ₽
1000
118.556044 ₽
118,556.04 ₽
Цена за единицу: 149.674286 ₽
Итоговая цена: 149.73 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | |||
Производитель: | |||
Описание: | Trans MOSFET N-CH 20V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R | MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC | Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC N T/R |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 14 Weeks | 18 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Количество контактов | 8 | 8 | 8 |
Вес | 186.993455mg | - | 130mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | - | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 20A Tc | 15A Ta | 11A Ta |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 4.5V 10V | 4.5V 10V | 2.5V 4.5V |
Количество элементов | 1 | - | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 2.5W Ta 5.7W Tc | 2.5W Ta | 2.5W Ta |
Время отключения | 60 ns | 16 ns | 124 ns |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | HEXFET® | PowerTrench® |
Опубликовано | 2012 | 2004 | 2006 |
Код JESD-609 | e3 | - | e4 |
Безоловая кодировка | yes | - | yes |
Состояние изделия | Active | Not For New Designs | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 8 | - | 8 |
Код ECCN | EAR99 | - | EAR99 |
Сопротивление | 6MOhm | 7MOhm | 14MOhm |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | - | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
Положение терминала | DUAL | - | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | - | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | - | - |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | - | - |
Число контактов | 8 | - | - |
Каналов количество | 1 | 1 | - |
Конфигурация элемента | Single | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | - | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 2.5W | 2.5W | 2.5W |
Время задержки включения | 30 ns | 14 ns | 18 ns |
Тип ТРВ | N-Channel | N-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - | SWITCHING |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 6m Ω @ 10A, 10V | 7m Ω @ 15A, 10V | 14m Ω @ 11A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 2.1V @ 250μA | 3V @ 250μA | 1.5V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 3700pF @ 10V | 3100pF @ 10V | 4044pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 95nC @ 10V | 42nC @ 4.5V | 60nC @ 4.5V |
Время подъема | 13ns | 16ns | 17ns |
Угол настройки (макс.) | ±16V | ±20V | ±12V |
Время падения (тип) | 30 ns | 7.5 ns | 79 ns |
Непрерывный ток стока (ID) | 20A | 15A | 11A |
Пороговое напряжение | 2.1V | 3V | -830mV |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 16V | 20V | 12V |
Напряжение пробоя стока к истоку | 20V | 20V | -20V |
Высота | 1.5mm | 1.75mm | 1.5mm |
Длина | 5mm | 4.9784mm | 5mm |
Ширина | 4mm | 3.9878mm | 4mm |
REACH SVHC | Unknown | No SVHC | No SVHC |
Корпусировка на излучение | No | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Без свинца | Lead Free | Contains Lead, Lead Free | Lead Free |
Ток постоянного напряжения - номинальный | - | 20V | -20V |
Моментальный ток | - | 15A | -11A |
Напряжение | - | 20V | - |
Текущий | - | 5A | - |
Максимальная температура перехода (Тj) | - | 150°C | - |
Состояние жизненного цикла | - | - | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) |
Покрытие контактов | - | - | Tin |
Завершение | - | - | SMD/SMT |
Напряжение стока-исток (Vdss) | - | - | 20V |
Двухпитание напряжения | - | - | -20V |
Номинальное Vgs | - | - | -830 mV |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF7456TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC | Для сравнения |
| IRF7457TRPBF | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC | Для сравнения |
 | FDS6576 | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |
| FDS6574A | ON Semiconductor | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC N T/R | Для сравнения |