SI4114DY-T1-GE3 Альтернативные части: FDS6574A ,IRF7456TRPBF

SI4114DY-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 282428

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
149.674286 ₽
149.73 ₽
10
141.202143 ₽
1,412.09 ₽
100
133.209533 ₽
13,321.02 ₽
500
125.669409 ₽
62,834.75 ₽
1000
118.556044 ₽
118,556.04 ₽

Цена за единицу: 149.674286 ₽

Итоговая цена: 149.73 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4114DY-T1-GE3	иFDS6574A	иIRF7456TRPBF
Производитель:	Vishay Siliconix	ON Semiconductor	Infineon Technologies
Описание:	Trans MOSFET N-CH 20V 15.2A 8-Pin SOIC N T/R	Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC N T/R	MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	14 Weeks	18 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8	8
Вес	186.993455mg	130mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	20A Tc	16A Ta	16A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	1.8V 4.5V	2.8V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 5.7W Tc	2.5W Ta	2.5W Ta
Время отключения	60 ns	173 ns	50 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~175°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	PowerTrench®	HEXFET®
Опубликовано	2012	-	2008
Код JESD-609	e3	e4	-
Безоловая кодировка	yes	yes	-
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Сопротивление	6MOhm	6MOhm	6.5mOhm
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	-	-
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	-	-
Число контактов	8	-	-
Каналов количество	1	-	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	2.5W	2.5W
Время задержки включения	30 ns	19.5 ns	20 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	6m Ω @ 10A, 10V	6m Ω @ 16A, 4.5V	6.5m Ω @ 16A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250μA	1.5V @ 250μA	2V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	3700pF @ 10V	7657pF @ 10V	3640pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	95nC @ 10V	105nC @ 4.5V	62nC @ 5V
Время подъема	13ns	22ns	25ns
Угол настройки (макс.)	±16V	±8V	±12V
Время падения (тип)	30 ns	82 ns	52 ns
Непрерывный ток стока (ID)	20A	16A	16A
Пороговое напряжение	2.1V	600mV	2V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	16V	8V	12V
Напряжение пробоя стока к истоку	20V	20V	20V
Высота	1.5mm	1.5mm	1.4986mm
Длина	5mm	5mm	4.9784mm
Ширина	4mm	4mm	3.9878mm
REACH SVHC	Unknown	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Состояние жизненного цикла	-	ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)	-
Ток постоянного напряжения - номинальный	-	20V	20V
Моментальный ток	-	16A	16A
Покрытие контактов	-	-	Tin
Дополнительная Характеристика	-	-	AVALANCHE RATED
Двухпитание напряжения	-	-	20V
Рейтинг энергии лавины (Eas)	-	-	250 mJ
Время восстановления	-	-	72 ns
Номинальное Vgs	-	-	2 V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7456TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7457TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC	Для сравнения
FDS6576	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET P-CH 20V 11A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения
FDS6574A	ON Semiconductor	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Trans MOSFET N-CH 20V 16A 8-Pin SOIC N T/R	Для сравнения