SI4114DY-T1-E3 Альтернативные части: SI4654DY-T1-GE3

SI4114DY-T1-E3Vishay Siliconix

В наличии: 10990

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
232.187033 ₽
232.14 ₽
10
219.044382 ₽
2,190.38 ₽
100
206.645591 ₽
20,664.56 ₽
500
194.948736 ₽
97,474.31 ₽
1000
183.913915 ₽
183,913.87 ₽

Цена за единицу: 232.187033 ₽

Итоговая цена: 232.14 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI4114DY-T1-E3	иSI4654DY-T1-GE3
Производитель:	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Описание:	MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC	MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC
Срок поставки от производителя	14 Weeks	-
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Количество контактов	8	8
Вес	186.993455mg	186.993455mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	20A Tc	28.6A Tc
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1
Максимальная мощность рассеяния	2.5W Ta 5.7W Tc	2.5W Ta 5.9W Tc
Время отключения	60 ns	50 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	TrenchFET®
Опубликовано	2014	2014
Код JESD-609	e3	e3
Безоловая кодировка	yes	-
Состояние изделия	Active	Obsolete
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	8	8
Код ECCN	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN
Положение терминала	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	40
Число контактов	8	8
Каналов количество	1	1
Конфигурация элемента	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	2.5W	-
Время задержки включения	30 ns	30 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	6m Ω @ 10A, 10V	4m Ω @ 15A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.1V @ 250μA	2.5V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	3700pF @ 10V	3770pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	95nC @ 10V	100nC @ 10V
Время подъема	13ns	10ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	20V	-
Угол настройки (макс.)	±16V	±16V
Время падения (тип)	30 ns	10 ns
Непрерывный ток стока (ID)	15.2A	18.6A
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	16V	16V
Максимальный сливовой ток (ID)	20A	-
Сопротивление открытого канала-макс	0.006Ohm	0.004Ohm
Минимальная напряжённость разрушения	20V	-
Высота	1.5mm	1.5mm
Длина	5mm	5mm
Ширина	4mm	4mm
Корпусировка на излучение	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Напряжение пробоя стока к истоку	-	25V

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
IRF7456TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC	Для сравнения
IRF7457TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 20V 15A 8-SOIC	Для сравнения
IRF3717PBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC	Для сравнения
SI4654DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 25V 28.6A 8-SOIC	Для сравнения