SI2366DS-T1-GE3 Альтернативные части: ZXMN3F30FHTA ,IRFML8244TRPBF

SI2366DS-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 7497

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
43.175275 ₽
43.13 ₽
10
40.731360 ₽
407.28 ₽
100
38.425797 ₽
3,842.58 ₽
500
36.250824 ₽
18,125.41 ₽
1000
34.198846 ₽
34,198.90 ₽

Цена за единицу: 43.175275 ₽

Итоговая цена: 43.13 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI2366DS-T1-GE3	иZXMN3F30FHTA	иIRFML8244TRPBF
Производитель:	Vishay Siliconix	Diodes Incorporated	Infineon Technologies
Описание:	SI2366DS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 5.8 A; 30 V; 3-Pin SOT-23	MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3	MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Срок поставки от производителя	14 Weeks	17 Weeks	12 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	1.437803g	7.994566mg	-
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	5.8A Tc	3.8A Ta	5.8A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	1.25W Ta 2.1W Tc	950mW Ta	1.25W Ta
Время отключения	14 ns	17 ns	9 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	-	HEXFET®
Опубликовано	2016	2008	2008
Код JESD-609	e3	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	40	30
Число контактов	3	3	-
Каналов количество	1	1	-
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	1.25W	1.4W	1.25W
Время задержки включения	5 ns	1.6 ns	2.7 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	36m Ω @ 4.5A, 10V	47m Ω @ 3.2A, 10V	24m Ω @ 5.8A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	3V @ 250μA	2.35V @ 10μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	335pF @ 15V	318pF @ 15V	430pF @ 10V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	10nC @ 10V	7.7nC @ 10V	5.4nC @ 10V
Время подъема	12ns	2.6ns	2.1ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	-
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	8 ns	2.6 ns	2.9 ns
Непрерывный ток стока (ID)	5.8A	4.6A	5.8A
Пороговое напряжение	1.2V	1V	1.7V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Номинальное Vgs	1.2 V	-	1.7 V
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	No	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Безоловая кодировка	-	yes	-
Сопротивление	-	47mOhm	41MOhm
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V	25V
Высота	-	1.02mm	1.02mm
Длина	-	3.04mm	3.04mm
Ширина	-	1.4mm	1.4mm
Производитель идентификатор упаковки	-	-	Micro3
Максимальный импульсный ток вывода	-	-	24A
Время восстановления	-	-	17 ns

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXMN3F30FHTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3	Для сравнения
IRFML8244TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23	Для сравнения
DMN3404L-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23	Для сравнения
SI2338DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts	Для сравнения