SI2366DS-T1-GE3 Альтернативные части: SI2338DS-T1-GE3 ,ZXMN3F30FHTA

SI2366DS-T1-GE3Vishay Siliconix

В наличии: 7497

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Количество

Цена за единицу

Итоговая цена

1
43.175275 ₽
43.13 ₽
10
40.731360 ₽
407.28 ₽
100
38.425797 ₽
3,842.58 ₽
500
36.250824 ₽
18,125.41 ₽
1000
34.198846 ₽
34,198.90 ₽

Цена за единицу: 43.175275 ₽

Итоговая цена: 43.13 ₽

Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.

Скрыть общие атрибуты	иSI2366DS-T1-GE3	иSI2338DS-T1-GE3	иZXMN3F30FHTA
Производитель:	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Diodes Incorporated
Описание:	SI2366DS-T1-GE3 N-channel MOSFET Transistor; 5.8 A; 30 V; 3-Pin SOT-23	MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts	MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
Срок поставки от производителя	14 Weeks	14 Weeks	17 Weeks
Монтаж	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Вид крепления	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Корпус / Кейс	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Количество контактов	3	3	3
Вес	1.437803g	1.437803g	7.994566mg
Материал элемента транзистора	SILICON	SILICON	SILICON
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C	5.8A Tc	6A Tc	3.8A Ta
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On)	10V	4.5V 10V	4.5V 10V
Количество элементов	1	1	1
Максимальная мощность рассеяния	1.25W Ta 2.1W Tc	1.3W Ta 2.5W Tc	950mW Ta
Время отключения	14 ns	20 ns	17 ns
Рабочая температура	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ	-55°C~150°C TJ
Пакетирование	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
Серия	TrenchFET®	TrenchFET®	-
Опубликовано	2016	2012	2008
Код JESD-609	e3	e3	e3
Состояние изделия	Active	Active	Active
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)	1 (Unlimited)
Количество выводов	3	3	3
Код ECCN	EAR99	EAR99	EAR99
Конечная обработка контакта	Matte Tin (Sn)	-	Matte Tin (Sn)
Положение терминала	DUAL	DUAL	DUAL
Форма вывода	GULL WING	GULL WING	GULL WING
Температура пайки (пиковая) (°C)	260	260	260
Время@Максимальная температура пайки-пик (с)	30	30	40
Число контактов	3	3	3
Каналов количество	1	1	1
Конфигурация элемента	Single	Single	Single
Режим работы	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
Распад мощности	1.25W	1.3W	1.4W
Время задержки включения	5 ns	3 ns	1.6 ns
Тип ТРВ	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Применение транзистора	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs	36m Ω @ 4.5A, 10V	28m Ω @ 5.5A, 10V	47m Ω @ 3.2A, 10V
Втс(th) (Макс) @ Id	2.5V @ 250μA	2.5V @ 250μA	3V @ 250μA
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds	335pF @ 15V	424pF @ 15V	318pF @ 15V
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs	10nC @ 10V	13nC @ 10V	7.7nC @ 10V
Время подъема	12ns	11ns	2.6ns
Напряжение стока-исток (Vdss)	30V	-	-
Угол настройки (макс.)	±20V	±20V	±20V
Время падения (тип)	8 ns	7 ns	2.6 ns
Непрерывный ток стока (ID)	5.8A	6A	4.6A
Пороговое напряжение	1.2V	2.5V	1V
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs)	20V	20V	20V
Номинальное Vgs	1.2 V	-	-
REACH SVHC	No SVHC	No SVHC	No SVHC
Корпусировка на излучение	No	-	No
Состояние RoHS	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant	ROHS3 Compliant
Без свинца	Lead Free	Lead Free	Lead Free
Покрытие контактов	-	Tin	-
Код соответствия REACH	-	unknown	-
Максимальный сливовой ток (ID)	-	6A	-
Сопротивление открытого канала-макс	-	0.028Ohm	-
Напряжение пробоя стока к истоку	-	30V	30V
Максимальный импульсный ток вывода	-	25A	-
Безоловая кодировка	-	-	yes
Сопротивление	-	-	47mOhm
Высота	-	-	1.02mm
Длина	-	-	3.04mm
Ширина	-	-	1.4mm

Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части

Артикул	Производитель	Категория	Упаковка	Описание	Для сравнения
ZXMN3F30FHTA	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3	Для сравнения
IRFML8244TRPBF	Infineon Technologies	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23	Для сравнения
DMN3404L-7	Diodes Incorporated	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23	Для сравнения
SI2338DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts	Для сравнения