Все продукты
Войти
Место отправки: 
Китай
SI1469DH-T1-GE3 Альтернативные части: SI1467DH-T1-E3
SI1469DH-T1-GE3Vishay Siliconix
В наличии: 14220
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.
Количество
Цена за единицу
Итоговая цена
1
94.985604 ₽
94.92 ₽
10
89.609038 ₽
896.15 ₽
100
84.536799 ₽
8,453.71 ₽
500
79.751731 ₽
39,875.82 ₽
1000
75.237527 ₽
75,237.50 ₽
Цена за единицу: 94.985604 ₽
Итоговая цена: 94.92 ₽
Пожалуйста, отправьте запрос цены, и мы ответим немедленно.
Скрыть общие атрибуты | ||
Производитель: | ||
Описание: | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 | MOSFET 20V 2.7A 2.78W 90mohm @ 4.5V |
Срок поставки от производителя | 14 Weeks | 14 Weeks |
Монтаж | Surface Mount | Surface Mount |
Вид крепления | Surface Mount | Surface Mount |
Корпус / Кейс | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Количество контактов | 6 | 6 |
Вес | 7.512624mg | 7.512624mg |
Материал элемента транзистора | SILICON | SILICON |
Ток - непрерывный ток вывода (Id) @ 25°C | 2.7A Tc | 2.7A Tc |
Напряжение привода (макс. Rds On, мин. Rds On) | 2.5V 10V | 1.8V 4.5V |
Количество элементов | 1 | 1 |
Максимальная мощность рассеяния | 1.5W Ta 2.78W Tc | 1.5W Ta 2.78W Tc |
Рабочая температура | -55°C~150°C TJ | -55°C~150°C TJ |
Пакетирование | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
Серия | TrenchFET® | TrenchFET® |
Опубликовано | 2014 | 2016 |
Код JESD-609 | e3 | e3 |
Безоловая кодировка | yes | yes |
Состояние изделия | Active | Active |
Уровень чувствительности к влаге (УЧВ) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) |
Количество выводов | 6 | 6 |
Код ECCN | EAR99 | EAR99 |
Конечная обработка контакта | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
Положение терминала | DUAL | DUAL |
Форма вывода | GULL WING | GULL WING |
Температура пайки (пиковая) (°C) | 260 | 260 |
Время@Максимальная температура пайки-пик (с) | 30 | 30 |
Число контактов | 6 | 6 |
Каналов количество | 1 | 1 |
Конфигурация элемента | Single | Single |
Режим работы | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
Распад мощности | 1.5W | 1.5W |
Тип ТРВ | P-Channel | P-Channel |
Применение транзистора | SWITCHING | - |
Сопротивление открытого канала (макс.) @ Id, Vgs | 80m Ω @ 2A, 10V | 90m Ω @ 2A, 4.5V |
Втс(th) (Макс) @ Id | 1.5V @ 250μA | 1V @ 250μA |
Входной конденсанс (Ciss) (макс.) @ Vds | 470pF @ 10V | 561pF @ 10V |
Заряд сток-исток (Qg) (Макс) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V | 13.5nC @ 4.5V |
Напряжение стока-исток (Vdss) | 20V | 20V |
Угол настройки (макс.) | ±12V | ±8V |
Непрерывный ток стока (ID) | 3.2A | 2.7A |
Токовая напряжение между затвором и источником (Вgs) | 12V | 8V |
Максимальный сливовой ток (ID) | 2.7A | 3A |
Сопротивление открытого канала-макс | 0.08Ohm | - |
Максимальный импульсный ток вывода | 8A | - |
Минимальная напряжённость разрушения | 20V | - |
Корпусировка на излучение | No | No |
Состояние RoHS | ROHS3 Compliant | ROHS3 Compliant |
Время отключения | - | 36 ns |
Сопротивление | - | 90mOhm |
Время задержки включения | - | 16 ns |
Время подъема | - | 43ns |
Время падения (тип) | - | 43 ns |
Напряжение пробоя стока к истоку | - | -20V |
Высота | - | 1mm |
Длина | - | 2mm |
Ширина | - | 1.25mm |
Без свинца | - | Lead Free |
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные Смежные части
| Наименование | Артикул | Производитель | Категория | Упаковка | Описание | Для сравнения |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1467DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 20V 2.7A 2.78W 90mohm @ 4.5V | Для сравнения |
 | BSD235NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | Trans MOSFET N-CH 20V 0.95A 6-Pin SOT-363 T/R | Для сравнения |
| SI1467DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6 | Для сравнения |
| SI1902DL-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6 | Для сравнения |